TPN8R903NL,LQ

TPN8R903NL,LQ 产品概述

一、产品简介

TPN8R903NL,LQ 是一款由东芝（TOSHIBA）生产的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），适用于各种电子电路的高效开关和放大组件。凭借其卓越的性能参数和小型封装设计，该器件广泛应用于电源管理、马达驱动和其他要求高效率和高功率密度的应用中。它的主要特性包括最大漏源电压（Vdss）为30V，最大连续漏极电流（Id）为20A，以及高达22W的功率耗散能力（Tc条件下）。

二、主要特性

1. 技术类型: N 通道 MOSFET

   • 该器件利用 MOSFET 技术，提供高效能和快速开关能力，适合多种电子应用。

2. 电气特性:

   • 漏源电压（Vdss）: 30V，适合中高压应用。
   • 连续漏极电流（Id）: 20A，满足大功率电流传输需求。
   • 驱动电压: 4.5V 和 10V，支持灵活的驱动要求。

3. 导通电阻:

   • 最大 Rds(on) 高达 8.9 毫欧（在10A，10V时）。这个低导通电阻有效减少了在开启状态下的功耗和发热，提高了整体效率。

4. 阈值电压（Vgs(th)）:

   • 最大值为 2.3V（在100µA时），能够在较低电压下快速开启，提升了开关速度并降低了总功耗。

5. 输入电容（Ciss）:

   • 输入电容最大值为 820pF（在15V下），这使得器件在高频开关操作中表现出色，有助于减小开关延迟。

6. 栅极电荷（Qg）:

   • 栅极电荷最大值为 9.8nC（在4.5V下），指示了相对较低的驱动功耗，适合频繁开关的应用场景。

7. 功率耗散:

   • 最大功率耗散能力为 700mW（在环境温度下）和 22W（在结温下），确保器件在高功率密度应用中的稳定性。

8. 工作温度:

   • 工作温度范围高达 150°C，使其能够在恶劣环境下稳定运行。

9. 封装类型:

   • 采用表面贴装 (SMD) 型的 8-TSON Advance（3.3x3.3）封装，拥有紧凑的体积和良好的散热性能，易于集成在高密度电路板上。

三、应用领域

TPN8R903NL,LQ 的多项技术特性，使其适用于以下几个典型应用场景：

1. 电源管理:

   • 该器件可用于DC-DC转换器和线性稳压器中，通过其高开关效率和低导通电阻来提高转换效率。

2. 马达驱动:

   • 在工业和消费类电器的电机控制中得到广泛应用，兼具高电流承载能力和快速切换特性，可以有效驱动直流电和步进电机。

3. 功率放大和输出转接:

   • 适用于音频放大和射频输出，使其能处理大功率信号而不产生过量发热。

4. 自适应供电回路:

   • 在便携式设备和电池供电的应用中，TPN8R903NL,LQ 能够优化能量转化，并且减少电源损失。

四、总结

TPN8R903NL,LQ 是一款功能强大、性能卓越的 N 通道 MOSFET 解决方案，凭借其高功率处理能力、低导通电阻和高温工作能力，非常适合现代电子产品和自动化设备。东芝作为领先的半导体供应商，凭借其可靠性与创新性在市场上获得了良好的声誉。选择 TPN8R903NL,LQ，能够有效提升您的产品性能和市场竞争力。