STW48N60M2
STW48N60M2参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 42A(Tc) | 漏源导通电阻 | 70mΩ @ 21A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 42A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 70 毫欧 @ 21A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 70nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3060pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW48N60M2手册
STW48N60M2概述
STW48N60M2 产品概述
一、产品简介
STW48N60M2 是意法半导体（STMicroelectronics）公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET（场效应管），具有出色的电气特性和稳定性。该器件设计用于高压、高电流应用，如开关电源、逆变器和电机控制等，能够在严酷的环境条件下可靠运行，其高漏源电压和优良的导通电阻使之成为电子系统中不可或缺的重要组成部分。
二、关键参数与特点
漏源电压（Vdss）：该 MOSFET 的漏源电压高达 600V，适用于高压电源设计，有助于满足许多工业和消费类应用的要求。
连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境温度下，该器件能够承受最高 42A 的连续漏极电流，确保在负载高峰时的稳定性和可靠性。
导通电阻（Rds On）：在 21A 的电流和 10V 的驱动电压下，漏源导通电阻为 70mΩ，较低的导通电阻有效降低了功耗并提高了器件的效率。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：设备在 250µA 电流下的栅源极阈值电压为 4V，这意味着可以使用较低的驱动电压进行开关控制，减小系统设计的复杂性。
栅极电荷（Qg）：该器件在 10V 支持的最大栅极电荷为 70nC，保证了快速的开关性能，降低开关损耗。
工作温度范围：产品支持从 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围，使其适用于高温工业环境。
封装类型：STW48N60M2 采用 TO-247 封装，适合于通孔安装，便于散热设计，增强系统的热管理能力。
功率耗散：在 Tc（接合温度）为 25°C 的条件下，其最大功率耗散为 300W，能够有效应对高负载条件下的热管理挑战。
三、应用场景
STW48N60M2 的性能使其适用于多种应用场景，包括但不限于：
开关电源：此 MOSFET 在高频开关应用中表现优秀，适用于电源转换器及适配器，能够有效提高能源转化效率。
逆变器：广泛用于太阳能和风能逆变器中，能将直流电转换为交流电，供电于各类设备。
电动机控制：在电动汽车驱动和工业电动机控制中，该 MOSFET 可用于控制电流流向，提高电动机效率。
电力电子设备：适合用于高功率电力转换器、高电流控制应用中，满足电力电子设备的需求。
四、总结
STW48N60M2 作为一款高电压、高电流承受能力的 N 沟道 MOSFET，以其优异的电气特性、出色的热管理能力和广泛的应用适应性，深受电子工程师和设计师的青睐。无论是在电源管理、逆变器还是各种电动机控制方面，它都是一个可靠的选择，能为各种高性能电子系统提供理想的解决方案。