STW43NM60ND
STW43NM60ND参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 35A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 88mΩ @ 17.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 255W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 88 毫欧 @ 17.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 145nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4300pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 255W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW43NM60ND手册
STW43NM60ND概述
STW43NM60ND MOSFET 产品概述
概述
STW43NM60ND是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由意法半导体（STMicroelectronics）推出，其设计旨在满足工业和消费电子领域对高电压和高电流的需求。该器件特别适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动及其他需要高效电源管理的应用场合。
主要参数
漏源电压（Vdss）: 该MOSFET的最大漏源电压为600V，能够应对各种高压环境，对大多数工业应用尤为重要。
连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，该器件的连续漏极电流为35A（Tc），显示出其在承受高电流时的稳定性和可靠性。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 栅源极阈值电压为5V @ 250µA，意味着该MOSFET在较低的栅电压下便能有效开启。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 该设备在17.5A和10V条件下的导通电阻为88毫欧（mΩ），确保在导通状态下损耗最低，从而提高整体效率。
最大功率耗散: STW43NM60ND的最大功率耗散为255W（在Tc=25°C时）。这一特性使其能够在高负载情况下维持可靠的工作状态。
工作温度范围: 器件可在150°C（TJ）工作，使其在恶劣工作环境下依然运行稳定。
封装类型: 该型号采用TO-247-3封装，适合需要较大散热能力的应用，确保器件可靠散热，延长其使用寿命。
应用场景
STW43NM60ND MOSFET的设计宗旨是提供卓越的开关性能及低导通损耗，因此它广泛应用于：
- 开关电源：由于其高电压和电流能力，能够支持高效能的转换，符合现代开关电源设计的需求。
- 直流-直流转换器：在电池管理和充电系统中，能够实现高效能转换，保持较低的热损耗。
- 电机驱动：可以在电机控制电路中使用，以提供高效的驱动能力和快速的开关响应。
- 焊接和热处理设备：由于其高功率处理能力，适用于工业焊接和热处理应用。
优势分析
高效能: 低导通电阻及高电流处理能力，使其在工作时显著减少功率损耗，提高整体系统效率。
耐高压: 600V的最大漏源电压，使其能够适应更为严苛的高压应用，具备了良好的电压绝缘性能。
可靠性: 工作在150°C的高温环境下，让它在严苛条件下依然能够保持稳健的性能，适应各种工业应用需求。
易于驱动: 结合较低的门极驱动电压，简化了电路设计，并提升了设计的灵活性。
结论
STW43NM60ND是一款适应多种应用的高性能MOSFET，结合高电压、高电流及高功率处理能力，为行业内的应用提供了稳固的解决方案。凭借其可靠性及高效性，该器件不仅满足了严苛的性能需求，还提升了系统的整体经济性与稳定性。无论是在工业电源管理，还是在消费电子设备，STW43NM60ND均展现出强大的竞争力。