STW3N150
STW3N150参数
| 漏源电压（Vdss） | 1500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.5A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 9Ω @ 1.3A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 140W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 939pF @ 25V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29.3nC @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） | 安装类型 | 通孔 |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 欧姆 @ 1.3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±30V | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| FET 类型 | N 通道 | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Tc） | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW3N150手册
STW3N150概述
STW3N150 产品概述
STW3N150 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高电压、大功率的应用场景设计。该器件的关键参数包括漏源电压（Vdss）高达1500V，连续漏极电流（Id）可达2.5A（在25°C环境温度下），其出色的性能使其成为电源转换、工业控制和电机驱动等领域的理想选择。
关键特性
高漏源电压：STW3N150 的漏源电压达到1500V，能够应对高电压应用，如逆变器和电源供应等，提供强大的设计灵活性。
适中的连续漏极电流：在25°C的工作条件下，STW3N150 支持2.5A的连续漏极电流（Id），这使得其在中等功率的电路中表现稳定。
良好的导通性能：该器件在1.3A电流和10V栅电压下的导通电阻（Rds On）仅为9Ω，这保证了低功耗和高效的电能转换，减少了热量产生。
良好的热管理能力：STW3N150 的最大功率耗散为140W，能够在高功率应用中保持稳定的性能。其最高工作温度可达150°C，确保在恶劣环境下也能可靠工作。
高栅源极阈值电压：该器件的栅源极阈值电压（Vgs(th)）为5V @ 250µA，适合大多数标准栅极驱动电压，简化了电路设计。
较小的输入电容：输入电容（Ciss）为939pF @ 25V，能够提高开关速度，减少开关损失，这是高频应用中的重要特性。
封装和安装类型：STW3N150 采用TO-247-3封装，利于散热与机械稳定性，同时通孔安装设计也方便其在各种电路板上的应用。
应用场景
STW3N150 在多个领域中得到了广泛应用：
电源转换：在开关电源、直流-直流转换器等应用中，STW3N150 能够提供高电压、高效率的电流输出，确保设备的稳定运行。
电机驱动：其高耐压和良好的热管理能力使其适用于电机控制器，可以高效地驱动各种类型的电机（如直流电机和无刷电机）。
工业控制：在工业自动化和控制系统中，STW3N150 提供可靠的功率控制，特别是在需要高电流和高电压的驱动场合。
可再生能源：在太阳能逆变器和风能发电系统中，这款设备同样表现出色，能够处理来自可再生能源的高电压输入。
总结
STW3N150 是一款在高电压和高功率应用中表现卓越的N沟道MOSFET，其高漏源电压与良好的导通性能使其适用于各种要求苛刻的环境。凭借其优越的散热能力和宽工作温度范围，STW3N150 一直以来都是电源电子设备设计者的热门选择。无论是在工业控制、电源转换还是电机驱动方面，该器件都能为系统提供稳定而可靠的性能，大幅提升整体设计的效率与安全性。