STW12N120K5
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-247-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 250W 1.2kV 12A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
19.49按整 :
管(1管有600个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥19.49
--
10+
￥16.8
--
6000+
产品参数
产品手册
产品概述
STW12N120K5参数
| 封装/外壳 | TO-247-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 1200V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 690 毫欧 @ 6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 44.2nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1370pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-247 |
STW12N120K5手册
STW12N120K5概述
STW12N120K5 产品概述
一、产品基本信息
STW12N120K5 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 TO-247-3 封装，适合高电压和高功率应用。其额定漏源极电压（Vdss）高达 1200V（1.2kV），连续漏极电流（Id）能够支持 12A（在特定的散热条件下），并且具有优异的导通电阻和功耗特性。
二、主要技术参数
电气特性：
- 漏源极电压（Vdss）：1200V，这使得 STW12N120K5 可以在高压电路中稳定运行。
- 连续漏极电流（Id）：12A（在 Tc 条件下）。适合多种功率转换应用。
- 导通电阻（Rds(on)）：在 Vgs = 10V，Id = 6A 时，导通电阻最大为 690mΩ。这一低导通电阻特性有效降低了功率损耗，提高了电路效率。
- 栅-源电压（Vgs）最大值：±30V，适合常规的驱动电压条件。
开关特性：
- 栅极电荷（Qg）：最大值为 44.2nC （在 Vgs = 10V 下）表明开关速度较快，降低驱动损耗。
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 5V（在 100µA 下），确保触发开关的电压较低，易于实现电路控制。
电容特性：
- 输入电容（Ciss）：最大 1370pF（在 100V 下），确保代表性的开关速率，减少干扰与开关损失。
散热与功率特性：
- 功率耗散：最大可达 250W（Tc），意味着在适当的散热措施下能够有效处理较高功率的负载。
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C，表明该器件在严苛环境下的稳定性和可靠性。
三、应用场景
STW12N120K5 适用于多个高压高功率的电子应用场景，包括但不限于：
- 电源转换器：如 DC-DC 转换器，在有高输入电压的应用中表现出色，能够有效提升转换效率。
- 逆变器：适合在太阳能逆变器和其他可再生能源系统中作为开关元件，支持高电压和高电流的转换。
- 电动机驱动：在高电压和高性能要求的电动机驱动系统中使用，提供优良的控制与效率。
- 工业设备：广泛应用于工业自动化、焊接以及高压电源等领域。
四、总结
STW12N120K5 是一款体现了现代半导体技术的高效能 N 通道 MOSFET，凭借其高电压、高电流容量和低导通电阻等优良特性而广受欢迎。无论是在电源管理、电动机控制还是可再生能源转换等领域，它都能够为设计工程师提供高效稳定的解决方案。其 TO-247-3 封装形式也为散热和力学强度提供了有效的保障，为高性能电路设计奠定了基础。由于其多样的应用潜力，STW12N120K5 仍将继续在高技术和高需求的市场中发挥重要作用。