反向恢复时间(trr) | 80ns | 直流反向耐压(Vr) | 200V |
平均整流电流(Io) | 4A | 正向压降(Vf) | 1.05V @ 4A |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 200V |
电流 - 平均整流 (Io) | 4A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.05V @ 4A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 30ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 3µA @ 200V | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | DO-214AB,SMC | 供应商器件封装 | SMC |
工作温度 - 结 | 175°C(最大) |
STTH4R02S 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高效率、快恢复二极管,广泛应用于各种电力电子设备中。它秉承了意法半导体的高质量标准,特别适用于开关电源、DC-DC 转换器及各种功率控制应用中。在设计现代电子设备的过程中,选择合适的二极管是确保电路效率和可靠性的关键因素,STTH4R02S 在这方面表现优异。
基本参数:
封装及安装类型:
工作环境:
STTH4R02S 的设计注重于快速恢复性能和高效率,提供了出色的电气特性,旨在满足现代工业和消费电子领域的需求。其 80ns 的反向恢复时间使其能够在高频开关操作中进行迅速切换,有助于提升开关电源的整体效率,减少能量损耗。
低正向压降(仅为1.05V @ 4A)不仅减少了在高电流情况下的能量损耗,还有助于减少发热,这对于整流电路的长期可靠性和稳定性至关重要。
同时,STTH4R02S 表现出色的电流-反向泄漏特性,尤其在工作电压为200V时,仅显示3µA的反向泄漏电流,确保在极高电压条件下也能稳定工作,适用于各种高压应用。
STTH4R02S 适用于多种电力电子应用,包括但不限于:
与市场上的其他类似产品相比,STTH4R02S 具有更为出色的反向恢复特性、较低的正向压降和反向泄漏电流。这使得该产品在各种高频、高效率的应用中更具竞争力。此外,意法半导体以其享誉全球的品牌和完善的技术支持,为客户提供了更为优质的服务,使得在设计和选型阶段能够得到及时的帮助和专业的建议。
STTH4R02S 是一款值得信赖的快恢复二极管,凭借其优良的电气特性和广泛的应用范围,使其成为电子设计师的首选。无论是在高频开关电源设计还是在其他电力电子应用中,STTH4R02S 都充分显示了其在现代电子产品中的重要性。选用 STTH4R02S,您可以确保系统的高效性、可靠性和长久的使用寿命,推动项目成功。