注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
STP9NK70ZFP
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3 整包
包装 :
管装
重量 :
2.4g
描述 :
场效应管(MOSFET) 35W 700V 7.5A 1个N沟道 TO-220FP
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
6.07按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.07
--
100+
￥4.86
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP9NK70ZFP参数
| 漏源电压（Vdss） | 700V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7.5A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 1.2Ω @ 4A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 35W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 68nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1370pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 35W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STP9NK70ZFP手册
STP9NK70ZFP概述
产品概述：STP9NK70ZFP (N沟道MOSFET)
STP9NK70ZFP 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道MOSFET，专为高压和高效能的电源管理应用设计。该MOSFET采用了先进的金属氧化物半导体技术，能够在极高的漏源电压（Vdss）下稳定工作，适用于广泛的工业和消费电子领域。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）：最大可承受的电压为700V，使得该器件能够在高压环境下安全运行。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下，STP9NK70ZFP可以承载高达7.5A的连续电流（在机壳温度Tc的情况下），保证其在动态负载场景中的可靠性。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：该器件的阈值电压为4.5V @ 100µA，这一参数有助于设计低电压驱动电路，降低功耗。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：在10V的栅电压和4A的漏极电流下，导通电阻最小为1.2Ω，确保在导通状态下的能量损耗低。
- 最大功率耗散（Ptot）：STP9NK70ZFP在工作温度为25°C时的最大功率耗散为35W（在Tc的情况下），能够有效应对不同工况下的热管理挑战。
电气特性
- 驱动电压：该MOSFET设计用于在10V的驱动电压下达到最大导通状态，保证了在高频开关应用中的快速响应能力。
- 输入电容（Ciss）：对于25V的工作条件，该器件的输入电容为1370pF，帮助降低驱动损耗，提高开关效率。
- 栅极电荷（Qg）：栅极电荷量最大为68nC @ 10V，表示其在开关状态转换时所需的能量，适合PWM控制和高频开关。
工作温度与可靠性
STP9NK70ZFP的工作温度范围为-55°C到150°C（TJ），使得该器件在恶劣工作环境中也能保持稳定的性能。通过优化的封装设计，该MOSFET能够在散热方面表现出色，适合于高功率应用。
封装类型与安装
STP9NK70ZFP采用TO-220FP封装形式，具备优良的热管理性能和通孔安装方式，便于客户在实际应用中实现高效散热。TO-220-3的封装设计使得该器件在电路板上的布局容易，同时便于与其他元件的相互连接。
应用场景
STP9NK70ZFP特别适用于需要高压和高流量电源控制的场合，例如：
- 开关电源（SMPS）
- 逆变器
- 电机驱动器
- 照明控制
- 工业电源管理系统
总结
STP9NK70ZFP是一款具备高额定电压、高导通能力与低功耗特性的N沟道MOSFET，适合于现代电源应用中的各种需求。无论是在工业控制、电源转换，还是其他需要高效能表现的场合，它都提供了理想的解决方案。这一器件以其出色的电气特性和可靠的工作性能，确保能够助力设计师在不同应用场合中应对挑战，创造高效、稳健的电力解决方案。