STP120NF10
STP120NF10参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 110A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 10.5mΩ @ 60A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 312W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.5 毫欧 @ 60A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 233nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5200pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 312W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP120NF10手册
STP120NF10概述
STP120NF10 产品概述
一、基本信息
STP120NF10是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于各种高功率电子电路和应用。这款MOSFET的主要规格包括：漏源电压(Vdss)为100V，连续漏极电流(Id)最大可达110A，具备优秀的导通性能和散热能力，最大功率耗散(Dissipation)达到312W。其采用的是TO-220封装，便于在多种电路板上安装和散热，特别适合于大电流和高电压的应用场合。
二、性能参数
漏源电压(Vdss): STP120NF10的漏源电压可达到100V，这使得它非常适用于高压电源、逆变器和电机驱动等要求较高电压的场合。
连续漏极电流(Id): 在25°C环境下，STP120NF10的连续漏极电流可充分达到110A，这使其在处理高功率应用时表现卓越，例如电池管理系统和电源转换器。
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 该设备的栅源极阈值电压在4V @ 250µA，表明在较低的栅电压下，该MOSFET便能达到导通状态，从而降低控制电路的驱动能耗。
漏源导通电阻（Rds(on)）: STP120NF10在10V栅电压和60A条件下的导通电阻为10.5mΩ，这一低阻抗特性减少了开关损耗和热量产生，提高了工作效率。
输入电容 (Ciss): 在25V的条件下，输入电容为5200pF，这一参数在高频开关应用中尤为重要，确保其能够快速响应并提高开关频率。
栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为233nC @ 10V，低栅极电荷可以提升开关速度，适用于高频率驱动。
工作温度范围: STP120NF10的工作温度范围为-55°C到175°C，显示出其在极端环境下的耐受性，使得其可以在汽车、工业和航天等领域中应用。
三、应用场景
STP120NF10的特性使其非常适用于多种应用，包括：
电机驱动器: 高电流处理能力和快速开关特性使其在驱动直流和步进电机时表现优异。
DC-DC变换器: 在电源管理、电池充电和功率转换过程中，STP120NF10能够有效降低能量损耗。
逆变器: 用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS），其高效率和高功率处理能力使其成为理想选择。
汽车电子: 由于其宽广的工作温度范围及高可靠性，适合用于汽车动力系统中高压开关和控制。
四、封装与安装
STP120NF10采用TO-220封装，这是一种常用的通孔安装封装。其设计不仅便于安装，还能有效散热，确保在高功率应用环境下正常工作。此外，TO-220封装的引脚配置使得PCB布局更为灵活，适应性强。
五、总结
综上所述，STP120NF10是一款集高电压、高电流和低导通电阻于一体的N沟道MOSFET，凭借其卓越的电性能和耐受温度特性，适用于电源管理、汽车电子及工业控制等多个领域。其稳定的性能和优良的热特性使得它在当今对高效能、高可靠性电子元件的需求中占据了一席之地。无论是在设计还是在实际应用中，STP120NF10都是一个值得信赖的选择。