STP10NK80ZFP

STP10NK80ZFP 产品概述

基本信息 STP10NK80ZFP是一款高性能的N沟道MOSFET，专为高电压和高电流应用设计。它的关键参数包括漏源电压（Vdss）高达800V，连续漏极电流（Id）为9A（在25°C时），以及最大功率耗散达到40W（在Tc条件下）。此器件采用TO-220封装，适用于需要较高散热能力的应用场合。该MOSFET由意法半导体（STMicroelectronics）生产，具有优良的电气性能。

产品特性

• 漏源电压（Vdss）：该MOSFET的漏源电压可达800V，使其能够满足高电压电源模块、逆变器和其他高压电路的需求。
• 连续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下，STP10NK80ZFP的连续漏极电流可达到9A，适合中等功率的应用。该电流的性能表现保证了器件在连续负载下的可靠运行。
• 导通电阻（Rds(on)）：在栅极电压为10V时，器件的漏源导通电阻为900毫欧，提供了较低的功耗和良好的热性能。较低的Rds(on)值降低了在开关周期中的功率损耗，提高了整体效率。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：该器件的阈值电压为4.5V（在100µA时），这意味着仅需4.5V的栅源电压即可开始导通，具有良好的开关特性。
• 栅极电荷（Qg）：最大栅极电荷为72nC（在10V时），说明该MOSFET在驱动时需要的输入电荷较小，使得其具有较快的开关速度，适合高频开关电源应用。

使用环境 STP10NK80ZFP具有广泛的工作温度范围，从-55°C到150°C，使其适合在各种苛刻环境中运行，尤其是在工业自动化、汽车电子和电力电子等领域。

安装与封装 STP10NK80ZFP采用TO-220封装，这种封装形式不仅方便通孔安装，还能实现优异的散热性能，适合需要散热的高功率应用。TO-220封装是许多电源设计和模块化产品设计的标准选择，以其良好的电气连接性和可靠性获得广泛应用。

应用领域 STP10NK80ZFP广泛应用于各种电力电子领域，主要包括：

1. 开关电源：作为高压开关管使用，提高系统效率和稳定性。
2. 电机驱动：可用于各类电机控制和驱动应用，提供高电流和响应速度。
3. 逆变器：在太阳能逆变器、家庭能源管理系统中扮演重要角色。
4. 充电器：适用于电池充电器设计，保证高效能和持久性。
5. LED驱动电路：快速开关特性使其适合于高亮度LED驱动需求。

总结 STP10NK80ZFP是一款高效、可靠的N沟道MOSFET，具备800V的高电压承受能力和9A的载流能力，适用于高功率和高频应用场合。其独特的电气特性和耐用性，使其成为现代电力电子设备的理想选择，特别是在要求苛刻的工业和汽车市场。由于其出色的散热性能和宽广的工作温度范围，STP10NK80ZFP能够在极端工作环境下持续提供稳定的性能，助力各种电源和驱动设计的成功应用。