STP10NK60ZFP
STP10NK60ZFP参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10A |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 750mΩ @ 4.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 35W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 750 毫欧 @ 4.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 70nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1370pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 35W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STP10NK60ZFP手册
STP10NK60ZFP概述
STP10NK60ZFP 产品概述
STP10NK60ZFP 是意法半导体（STMicroelectronics）公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET（场效应管），专为高压和高电流应用而设计。此组件的关键特点包括额定漏源电压（Vdss）为 600V，连续漏极电流（Id）可达 10A，能够承受极端工作条件，是电力电子和开关电源等领域中理想的选择。
主要参数与性能
漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为 600V，适用于许多高压应用，包括但不限于变频器、逆变器和切换电源。这使得 STP10NK60ZFP 能够在严苛的电气环境中稳定工作，保护后续电路不受过电压影响。
持续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境温度下，该器件的连续漏极电流为 10A，进一步增强了其在高流量应用中的适应能力。适合用于电力传输和开关电源中的高效电流控制。
导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅极驱动电压和 4.5A 的漏极电流下，导通电阻最大为 750mΩ。较低的导通电阻可以显著减少功耗，提升整体系统效率，降低发热量，是优化电源设计的关键参数。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 栅源电压的阈值为 4.5V（在 250µA 流量下测试），保证了在较低电压下也能有效驱动器件，便于电路设计。
栅极电荷（Qg）: 在 10V 驱动电压下，栅极电荷最大为 70nC。这一数值对开关速度有显著影响，较低的栅极电荷意味着该器件能够快速响应开关信号，适合于高频开关应用。
功率耗散能力: 此器件的最大功率耗散为 35W（在 Tc=25°C 下）。高功耗能力允许其在各种功率电路中运行，而不会因过热而损坏。
工作温度范围: STP10NK60ZFP 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，此广泛的温度范围使其适用于苛刻环境中的应用，如汽车电子和工业控制。
封装及安装类型: 该器件采用 TO-220FP 封装，适合通孔安装。TO-220 封装设计为散热提供更好支持，能有效散发在高功率运行中产生的热量。
应用领域
STP10NK60ZFP 的强大性能使其适用于多个应用领域，包括但不限于：
开关电源和逆变器: 在电力电子的设计中，能够高效控制电压和电流，保证电源的稳定性。
电机驱动: 在变频器中用于控制直流或交流电机，提高电机的性能和效率。
汽车电子: 可嵌入在汽车的电源模块中，无论是在动力系统还是在辅助系统中，都能够承受恶劣的工作条件。
照明控制: 在高效照明驱动中，确保在不同负载下能够稳定工作。
结论
STP10NK60ZFP 是一款高压、高电流和高效率的 N 沟道 MOSFET，适合于现代电子设计中的各种应用。凭借其卓越的电气特性和坚固的封装设计，无疑成为电力系统中不可或缺的理想选择。无论在工业、汽车还是消费电子领域，STP10NK60ZFP 都能够满足严苛的工作要求，帮助设计师实现更优质的电源管理方案。