集电极电流(Ic)(最大值) | 25A | 集射极击穿电压(最大值) | 600V |
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,7A | 栅极阈值电压-VGE(th) | 6.5V @ 250uA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 25A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 50A | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.5V @ 15V,7A |
功率 - 最大值 | 80W | 开关能量 | 82µJ(开),155µJ(关) |
输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | 34.4nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 22.5ns/116ns | 测试条件 | 390V,7A,10 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr) | 37ns | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
STGP14NC60KD 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),采用 TO-220 封装,广泛应用于电力电子、逆变器和工业电源等领域。这款 IGBT 具有卓越的性能参数,如高集电极电流和高集射极击穿电压,使其成为高效能、高可靠性的电力转换解决方案。
电流和电压能力:
开关损耗:
开关速度和延迟:
反向恢复时间:
栅极特性:
STGP14NC60KD 设计用于广泛的工作温度范围,从 -55°C 至 150°C,确保了在极端环境下的稳定性和可靠性。无论是在零度以下的寒冷环境,还是在高温条件下,该器件都能可靠地运行。
STGP14NC60KD 采用 D2PAK 封装形式,封装设计满足更高的散热需求,有效降低器件内部温度,提升产品的寿命和可靠性。通孔安装 (THD) 的设计使得其在PCB上易于安装,并且具备良好的力学支撑特性。
STGP14NC60KD IGBT 适用于以下几种应用场景:
STGP14NC60KD 是一款高性能、稳健可靠的 IGBT 解决方案,凭借其高电流承载能力、较低的导通电压及优化的开关特性,适合广泛的工业和民用应用。意法半导体凭借其先进的材料和工艺技术,确保了该器件在高需求的电力电子市场中的竞争力。选择 STGP14NC60KD,不仅能够提升设计效率,还能确保系统的长久稳定性与安全性。