STGB19NC60KDT4
STGB19NC60KDT4参数
| 集电极电流（Ic）（最大值） | 35A | 集射极击穿电压（最大值） | 600V |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | 2.75V @ 15V,12A | 栅极阈值电压-VGE(th) | 6.5V @ 250uA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 35A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 75A | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.75V @ 15V，12A |
| 功率 - 最大值 | 125W | 开关能量 | 165µJ（开），255µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | 55nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 30ns/105ns | 测试条件 | 480V，12A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 31ns | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
STGB19NC60KDT4手册
STGB19NC60KDT4概述
STGB19NC60KDT4 产品概述
STGB19NC60KDT4 是意法半导体（STMicroelectronics）旗下的一款高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT），广泛应用于电力电子设备，尤其是在变频器、逆变器和高效电源模块中。此器件在设计上持有优良的电气特性和耐用性，适合高压和高电流的应用场合。
主要电气参数
集电极电流（Ic）: STGB19NC60KDT4 的最大集电极电流为 35A，支持大功率电流的应用，因此特别适合用于需要较大电流传输的电路设计。
集射极击穿电压（Vce）: 本器件的集射极击穿电压最大值为 600V，能够在较高电压环境中运行，确保了其在高压系统中的稳定性和安全性。
开启压降（Vce(on)）: 在不同 Vge（栅极电压）和 Ic 情况下，Vce(on) 的典型值为 2.75V @ 15V, 12A，这一值相对较低，有助于提高电路的工作效率，减少功耗。
栅极阈值电压（VGE(th)）: 在 250μA 的条件下，栅极阈值电压为 6.5V，说明该器件在相对较低的栅极电压下就能导通，适配性较强。
功率额定值: STGB19NC60KDT4 的最大功率额定值为 125W，满足高功率需求的应用。
开关特性: 该器件的开关能量非常低，开关时的能量消耗分别为 165µJ（开）和 255µJ（关），同时其开关延迟（Td）时间为 30ns（开）和 105ns（关），确保了快速响应和高效的开关性能，这使其在高频应用中表现优异。
反向恢复时间（trr）: 该器件具有 31ns 的反向恢复时间，这一性能使得它在工作中可显著提高系统的效率并减少热损耗。
环境与封装
STGB19NC60KDT4 支持的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，具备良好的热稳定性能，适用于不同的工业环境。它的封装形式为 D2PAK（TO-263），属于表面贴装型，这种设计在紧凑型电路板上尤其受欢迎，便于散热和安装。
应用领域
STGB19NC60KDT4 广泛应用于以下领域：
- 变频器: 用于电机驱动系统，提供变频电源以适应不同负载需求。
- 逆变器: 用于太阳能逆变器和UPS系统，实现直流到交流的高效转换。
- 电源模块: 用于高效电源转换和供电，提高电源系统的整体效率和稳定性。
- 电动汽车: 在电动汽车的驱动和控制系统中发挥重要作用，支持高功率密度的应用。
结论
STGB19NC60KDT4 凭借其高电压、高电流承载能力以及优异的开关特性，成为了高功率电力电子设计中不可或缺的组件。无论是在工业还是商业应用中，这款 IGBT 都能提供出色的性能，为设计师和工程师高效、可靠的解决方案。凭借意法半导体的品牌实力和技术支持，STGB19NC60KDT4 将是满足现代电力电子需求的理想选择。