安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 30A |
栅极电荷 | 45nC | 输入类型 | 标准 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 650V |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,15A | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 60A |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 开关能量 | 90µJ(开),450µJ(关) |
测试条件 | 400V,15A,12 欧姆,15V | 功率 - 最大值 | 136W |
25°C 时 Td(开/关)值 | 24ns/93ns | 反向恢复时间 (trr) | 142ns |
STGB15M65DF2 是一款来自意法半导体 (STMicroelectronics) 的高性能绝缘栅双极型晶体管 (IGBT),专为高效率和高功率密度应用而设计。其具备650V的集射极击穿电压,并能承受高达30A的集电极电流,非常适用于多种应用场景,如电机驱动、变频器和电力电子开关设备。
STGB15M65DF2 在许多领域得到广泛应用,主要包括但不限于:
STGB15M65DF2 具有多个显著优势。首先,其高击穿电压和额定电流使得该器件在高功率应用中尤为可靠。其次,低导通电压和优异的开关特性不仅提高了整体系统的能效,还降低了热损耗。这符合当前对可持续发展和能效升级的需求。同时,广泛的工作温度范围确保其能够在多种应用环境中持久运作。
作为意法半导体的主打产品之一,STGB15M65DF2 代表着现代高性能 IGBT 的发展方向。无论是在电机控制还是电源转换领域,其出色的电气性能和可靠性都使其成为理想的选择。借助其在多个重要参数上的优越表现,这款器件无疑将推动相关应用的发展,帮助工程师们设计出更高效、更可靠的电力电子解决方案。