STGB15M65DF2 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STGB15M65DF2

商品编码: BM0000284515
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
D2PAK
包装 : 
编带
重量 : 
1.616g
描述 : 
IGBT管/模块 650V 136W FS(场截止) 30A D2PAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
7.35
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥7.35
--
100+
¥6.23
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STGB15M65DF2参数

安装类型表面贴装型电流 - 集电极 (Ic)(最大值)30A
栅极电荷45nC输入类型标准
IGBT 类型沟槽型场截止电压 - 集射极击穿(最大值)650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)2V @ 15V,15A电流 - 集电极脉冲 (Icm)60A
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)开关能量90µJ(开),450µJ(关)
测试条件400V,15A,12 欧姆,15V功率 - 最大值136W
25°C 时 Td(开/关)值24ns/93ns反向恢复时间 (trr)142ns

STGB15M65DF2手册

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STGB15M65DF2概述

STGB15M65DF2 产品概述

1. 引言

STGB15M65DF2 是一款来自意法半导体 (STMicroelectronics) 的高性能绝缘栅双极型晶体管 (IGBT),专为高效率和高功率密度应用而设计。其具备650V的集射极击穿电压,并能承受高达30A的集电极电流,非常适用于多种应用场景,如电机驱动、变频器和电力电子开关设备。

2. 基本参数

  • 安装类型:该产品为表面贴装型 (SMT),适合现代电子设备的小型化设计。
  • 电流 - 集电极 (Ic):最大允许电流为30A,适合需要中高电流处理的应用。
  • 电压 - 集射极击穿:最大值达650V,确保在较高电压应用中的稳定性和可靠性。
  • Vce(on) 最大值:在15V栅极驱动下,电流为15A时,Vce(on) 最大值为2V,意味着较低的导通损耗。
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):可承受高达60A的脉冲电流,适合瞬态要求较高的应用场合。
  • 工作温度范围:从-55°C 到 175°C 的广泛工作温度,使其在严苛的环境条件下也能保持良好的性能。

3. 关键性能指标

  • 栅极电荷 (Qg):该器件的栅极电荷为45nC,确保快速的开关响应。
  • 开关能量:开关损耗方面,器件的开关能量为90µJ(开),450µJ(关),表现出不俗的能效。
  • 反向恢复时间 (trr):142ns的反向恢复时间,使其在高频率操作下依然表现良好。
  • 开关延迟 (Td):在25°C环境下,开关延迟(开/关)分别为24ns和93ns,指示出快速切换的特性。

4. 应用领域

STGB15M65DF2 在许多领域得到广泛应用,主要包括但不限于:

  • 工业电机控制:其高电流和电压能力使其适合用作电机驱动的开关器件。
  • 可再生能源系统:用于如光伏逆变器和风能转换系统,能提供高效的能量转换。
  • 变频器:在控制电动机的速度与扭矩时,IGBT的快速开关特性也非常重要。
  • 电源转换器:用于各种类型的电源转换设备,优化能量效率。

5. 产品优势

STGB15M65DF2 具有多个显著优势。首先,其高击穿电压和额定电流使得该器件在高功率应用中尤为可靠。其次,低导通电压和优异的开关特性不仅提高了整体系统的能效,还降低了热损耗。这符合当前对可持续发展和能效升级的需求。同时,广泛的工作温度范围确保其能够在多种应用环境中持久运作。

6. 总结

作为意法半导体的主打产品之一,STGB15M65DF2 代表着现代高性能 IGBT 的发展方向。无论是在电机控制还是电源转换领域,其出色的电气性能和可靠性都使其成为理想的选择。借助其在多个重要参数上的优越表现,这款器件无疑将推动相关应用的发展,帮助工程师们设计出更高效、更可靠的电力电子解决方案。