STF8N80K5
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3 整包
包装 :
管装
重量 :
2.45g
描述 :
场效应管(MOSFET) 25W 800V 6A 1个N沟道 TO-220F-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
5.49按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.49
--
100+
￥4.4
--
1000+
￥4.07
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STF8N80K5参数
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 950mΩ @ 3A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 25W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 950 毫欧 @ 3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16.5nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 450pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF8N80K5手册
STF8N80K5概述
STF8N80K5 产品概述
STF8N80K5 是 ST（意法半导体）公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET（场效应晶体管），其设计旨在满足高压和高效能应用的需求。这款 MOSFET 具有 800V 的漏源电压（Vdss）和 6A 的连续漏极电流（Id），适合用于需要高耐压和大电流处理的电路中，尤其是在开关电源、逆变器、以及电动机驱动应用等场合。
关键参数
漏源电压（Vdss）：800V
- 该电压值使得 STF8N80K5 能够在高电压环境下稳定工作，能够满足高压电源和电机控制等应用的需求。
连续漏极电流（Id）：6A (Tc=25°C)
- 该参数代表在25°C 环境温度下，器件能承载的最大负载电流。
导通电阻（Rds(on)）：950mΩ @ 3A，10V
- 较低的导通电阻在降低功率损耗和提高效率方面有显著优势，适合高效的开关电源设计。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：5V @ 100µA
- 该参数体现了开启器件的门槛电压，确保能够有效驱动偏置信号。
输入电容（Ciss）：450pF @ 100V
- 低输入电容提高了开关速度，对于高频应用尤为关键。
工作温度：-55°C ~ 150°C
- 宽广的工作温度范围使得产品适用于多种环境条件，包括严酷的工业环境。
封装类型：TO-220FP
- TO-220 封装设计为元件提供了良好的热性能和易于散热的特性，有助于器件在高功率使用中的稳定性。
应用场合
STF8N80K5 被广泛用于电源管理和电动机控制等高压应用中，适合的具体场合包括但不限于：
- 开关电源：在 AC/DC 适配器、照明电源等设备中，作为开关单元，能够有效控制电流流动和转换，提高电源的能效。
- 逆变器：在太阳能逆变器中，STF8N80K5 可用于逆变和电流调制，提升系统的整体性能。
- 电动机驱动：尤其是需要高电压和高电流处理的电动机驱动应用，MOSFET 提供了高效能的开关控制，能够提高电机的响应速度和效率。
结论
STF8N80K5 集高性能与高可靠性于一身，不仅可以实现高功率控制，还具有出色的热管理能力，满足了现代电子设计对高压、高效能和高可靠性的要求。作为一款 N 沟道 MOSFET，其广泛的应用范围及稳健的性能使其成为电源设备和电动机控制系统设计中不可或缺的组成部分。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，STF8N80K5 都将是设计工程师的理想选择。