STF5NK100Z
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3 整包
包装 :
管装
重量 :
2.42g
描述 :
场效应管(MOSFET) 30W 1kV 3.5A 1个N沟道 TO-220FPAB-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
24.41按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥24.41
--
100+
￥21.79
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STF5NK100Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 1000V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.5A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 3.7Ω @ 1.75A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 30W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.7 欧姆 @ 1.75A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 59nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1154pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF5NK100Z手册
STF5NK100Z概述
STF5NK100Z 产品概述
基本信息
STF5NK100Z是一款高性能N沟道MOSFET场效应晶体管，属于意法半导体（STMicroelectronics）旗下的优质产品。它的设计目标是应用于高压功率转换和开关应用，能够在高电压和高电流条件下可靠工作。该元件具有如下特性：
- 漏源电压（Vds）: 1000V，适用于高压环境。
- 连续漏极电流（Id）: 3.5A（在25°C环境下），能够处理相对较大负载。
- 导通电阻（Rds(on)）: 3.7Ω @ 1.75A和10V，表明在开关过程中损耗较低。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 100µA，这为驱动电路设计提供了灵活性。
- 最大功率耗散: 30W（在25°C时），适应多种功率应用。
封装和散热
STF5NK100Z采用TO-220-3封装，具有良好的散热特性。TO-220尺寸适合通孔安装，能够方便地与散热器结合，优化设备的整体热管理。这种封装有助于在高功率应用中有效地散热，提高器件的运行稳定性。
工作环境
该产品的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C（TJ），使其能够在极端环境条件下工作，适合汽车、工业及电力电子等需求苛刻的应用场景。其高温稳定性和抗压能力使得STF5NK100Z成为理想的解决方案。
电气特性
从电气特性来看，STF5NK100Z在多种条件下表现出优秀的性能：
- 栅极电荷（Qg）: 59nC @ 10V，这一参数表明驱动电路的复杂性较低，节省了系统设计中的能耗。
- 输入电容（Ciss）: 1154pF @ 25V，这进一步证明其应用于高频开关时的适应性和效率。
- 最大栅源电压（Vgs）: ±30V，增加了该元件的适用性，能够满足多种驱动条件。
应用场景
STF5NK100Z被广泛应用于以下几个领域：
- 电源管理: 如开关电源（SMPS），能够在高电压、高频率下稳定输出。
- 电动汽车: 用于驱动电动机、充电和能量回收等系统。
- 工业自动化: 适用于各种电机控制、机器人驱动和其他高功率电子设备。
- 消费电子产品: 在需要高效能量转换的设备中提供切实解决方案，如LED驱动和变频器等。
- 可再生能源: 在太阳能逆变器及风能转换器中充当开关元件，提高系统的转换效率。
总结
STF5NK100Z是一款高规格N沟道MOSFET，凭借其高电压承受能力、优秀的导通特性、广泛的工作温度范围及良好的散热性能，成为多种高性能开关应用的理想选择。意法半导体品牌的可靠性和质量承诺，确保了这款MOSFET在现代电子产品中的应用表现卓越，成为设计工程师的优选器件。