STF4N62K3
STF4N62K3参数
| 漏源电压（Vdss） | 620V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.8A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 2Ω @ 1.9A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 25W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 1.9A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 550pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 25W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF4N62K3手册
STF4N62K3概述
STF4N62K3 产品概述
STF4N62K3是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其设计旨在满足高电压和中等功率应用的需求。此MOSFET的关键参数如下：
漏源电压（Vdss）: 620V，这使得STF4N62K3能够在高电压环境下安全有效地工作，适用于电源转换、逆变器等应用。
连续漏极电流（Id）: 3.8A（在25°C环境下，额定TC），这种电流等级适用于大多数中等功率的电源设计，能够满足多种电子设备的需求。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 50µA，这个阈值电压使得器件在电压变化时能迅速响应，有助于减少开关损耗，提高工作效率。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 2Ω @ 1.9A, 10V，较低的导通电阻确保在导通状态下，有最小的功耗损失，这对于提升整体系统的能效至关重要。
最大功率耗散（Pd）: 25W（在25°C环境下，Tc），这一功率耗散能力使得该MOSFET适用于多种功率转换和放大器电路，能够承受高负载的工作环境。
工作温度范围: 最大工作温度达到150°C，这一特性使得STF4N62K3能够在严酷的环境中保持稳定性，适应高温条件下的应用。
安装类型: 本器件为通过孔安装（通孔），便于在传统印刷电路板（PCB）上进行设计和应用。
封装类型: TO-220FP，TO-220-3 整包封装为该器件提供良好的散热性能，其散热设计可有效降低器件工作时的温度，提高可靠性。
STF4N62K3的使用场景极其广泛，适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高电压和中功率的电子设备中。其优异的性能使其成为在能源管理和控制电路等领域的理想选择。
在设计时，STF4N62K3的栅极驱动电压为10V，这使得在操作时能够使用常见的控制电压，不仅方便电路设计，同时也能有效降低开关损耗。此外，该器件的输入电容（Ciss）为550pF @ 50V，确保在高频开关时能够保持良好的频率响应特性，适应快速开关的需求。
为便于系统集成，STF4N62K3可与多种驱动电路配合使用，例如PWM调制电路，有助于实现复杂的控制策略。
总的来说，STF4N62K3通过其强大的参数特性和优秀的工作稳定性，能够为设计师提供一个高效、可靠的解决方案，适宜于当今电子电力应用中日益增长的需求。其来自意法半导体（STMicroelectronics）的品牌背书也为终端用户提供了进一步的信心。通过采用STF4N62K3，电子产品的性能及可靠性都将得到显著提升，满足市场对高效能与高可靠性的双重要求。