STF24N60DM2
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3 整包
包装 :
管装
重量 :
2.5g
描述 :
场效应管(MOSFET) 30W 600V 18A 1个N沟道 TO-220F-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
8.54按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥8.54
--
100+
￥7.24
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STF24N60DM2参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 18A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 200mΩ @ 9A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 30W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 9A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1055pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 整包 | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF24N60DM2手册
STF24N60DM2概述
产品概述：STF24N60DM2 N沟道MOSFET
基本信息
STF24N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）设计和生产的高性能N沟道MOSFET，具备高达600V的漏源电压（Vdss），连续漏极电流（Id）可达18A，并且封装采用TO-220形式，适合多种高功率应用。该MOSFET的设计旨在满足高可靠性与出色的热特性要求，使其广泛适用于功率转换、开关电源、逆变器及电动工具等场合。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 600V，这一高电压特性使得STF24N60DM2在工业、消费电子及电力电子设备中应用广泛，能够处理高电压环境下的操作。
- 连续漏极电流（Id）: 18A（在25°C下测得），此特性确保了该器件在较高负荷下能稳定工作，并适应各种功率需求。
- 栅源极阈值电压: 5V @ 250µA，这使得该MOSFET能够在相对较低的栅电压下开启，从而降低驱动电路的功耗。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 200mΩ @ 9A，10V，低导通电阻意味着在导通状态下可显著降低功耗、提高效率。
- 工作温度范围: -55°C至150°C（TJ），这表示该MOSFET能在极端环境下操作，适合用于高温及恶劣环境的应用。
性能特性
STF24N60DM2的设计考虑到了现代电子设备对能效和高电压能力的要求。其栅极电荷（Qg）为29nC @ 10V，有效降低了开关损耗，且提高了开关速度，适合于高频开关电源的设计。在不同的漏压情况下，输入电容（Ciss）最大值为1055pF @ 100V，提供了良好的驱动兼容性。
应用场景
STF24N60DM2广泛应用于多种场景，包括：
- 开关电源（SMPS）: 由于其高电压和电流处理能力，该器件可作为开关元件，在DC-DC转换和AC-DC转换中发挥重要作用。
- 逆变器: 在太阳能逆变器和电动汽车驱动系统中，该MOSFET可用于高效的电能转换。
- 电机驱动: 其优良的热特性和低导通电阻使其理想于电机控制和驱动应用，提高系统的整体性能。
- 高功率电子设备: 包括电动工具、家用电器以及工业自动化设备，STF24N60DM2能有效支持更高的功率需求。
封装与安装
STF24N60DM2采用TO-220封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，非常便于通孔安装。该封装形式的优势在于方便与散热器搭配使用，并且易于集成至各种PCB设计中。这对于需要频繁更换或维修的应用场景尤为重要。
总结
总的来说，STF24N60DM2是一款结合了高电压、高电流与良好热性能的N沟道MOSFET，适用于各种高功率和高频应用。凭借意法半导体卓越的设计与制造能力，该器件在现代电力电子设计中展现了广泛的适用性和可靠性，成为工程师们在电源管理和逆变器设计中不可或缺的选择。