注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
STF18NM60N
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220FP
包装 :
管装
重量 :
2.6g
描述 :
场效应管(MOSFET) 30W 600V 13A 1个N沟道 TO-220F-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
6.26按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.26
--
100+
￥5.01
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STF18NM60N参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 13A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 285mΩ @ 6.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 30W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 285 毫欧 @ 6.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 35nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF18NM60N手册
STF18NM60N概述
STF18NM60N MOSFET 产品概述
一、产品简介
STF18NM60N 是一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由意法半导体（STMicroelectronics）生产。该器件采用TO-220FP封装，具有600V的漏源阻断电压和13A的持续漏极电流能力，特别适用于高压电源管理、电机驱动和开关电源等应用场景。
二、主要技术参数
- 漏源电压 (Vdss): 600V
- 连续漏极电流 (Id): 25°C 时为 13A
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250μA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 285毫欧 @ 6.5A, 10V
- 最大功率耗散: 30W (环境温度 25°C)
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 最大栅极电压 (Vgs): ±25V
- 输入电容 (Ciss): 1000pF @ 50V
- 栅极电荷 (Qg): 35nC @ 10V
- 封装类型: TO-220-3
三、应用领域
STF18NM60N凭借其卓越的电气特性，广泛应用于多种高效能的电源管理系统，具体包括：
- 开关电源: 在高频转换和高电压环境中表现优越， 可以有效降低开关损耗。
- 马达驱动: 适用于各类电机控制，尤其是在工业自动化和家用电器等领域。
- 电压调节器: 作为稳压和斩波电路的关键元件，提供可靠的输出。
- 功率放大器: 在无线通信和音频设备中，能保证高线性度和稳定性。
四、性能特征
低导通阻抗: STF18NM60N 具备较低的导通电阻 (285mΩ)，其在导通状态下极大地减少了功率损耗，提升了工作效率。
高压操作: 最高可承受600V的漏源电压，适合高压应用场景，确保器件在压力条件下的可靠运行。
优良的热管理: 最大功率耗散值为30W，使得在较高负载下设备能够有效散热，延长器件寿命。
广泛的工作温度范围: 工作温度范围宽，从-55°C到150°C，适应了不同环境下的应用需求。
五、总结
STF18NM60N 是一款综合性能卓越的 N 通道 MOSFET，结合了高阻断电压、低导通电阻及良好的功率特性，成为现代电力电子中不可或缺的元件。无论是用于工业自动化，电源转换，还是马达驱动，其卓越的表现均符合现代电子设备对高效能和可靠性的严格要求。
随着电子设备日益向高效、绿色和智能化的发展，STF18NM60N 的应用将会越来越广泛，其优秀的技术规格将为各种高端应用提供强有力的支持。选择STF18NM60N，不仅可以大幅提升系统效率，同时也能在多种恶劣条件下保持稳定和安全的运行。