STD9NM60N

STD9NM60N 产品概述

一、产品简介

STD9NM60N 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管 (MOSFET)，其特点是具备棋盘式封装（DPAK），适合于各种表面贴装(SMT) 应用场景。该元件在电力电子行业中的广泛应用，使其成为高压、高功率开关设备和电源管理系统的重要组成部分。

二、主要特性

1. 电性参数：

   • 漏源极电压（Vdss）：STD9NM60N 的漏源电压可以达到 600V，确保在高电压环境下的应用，尤其适合 AC-DC 变换器和 DC-DC 变换器等。
   • 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境下，该器件的最大连续漏极电流可以达到 6.5A，为各种负载条件下的稳定工作提供了保障。
   • 栅源极电压（Vgss）：该 MOSFET 的栅源电压最大为 ±25V，有助于实现简易的驱动电路设计。

2. 导通电阻：

   • 在 3.25A 和栅电压 10V 条件下，STD9NM60N 的最大导通电阻（Rds(on)）为 745 毫欧，可以有效降低在开关操作中产生的功耗，从而提高整体效率。

3. 栅极电荷（Qg）：

   • 在 10V 驱动下，栅极电荷的最大值为 17.4 nC，这使得驱动电路简单且有效，减小了开关损失，提高了开关频率。

4. 输入电容（Ciss）：

   • 其最大输入电容达到 452 pF（在 50V 条件下），在高频应用中具有良好的性能，兼容多种来流开关控制。

5. 功率耗散：

   • STD9NM60N 的最大功率耗散可达 70W（在 Tc 的条件下），适应性强，可以应对各种工作环境。

6. 工作温度：

   • 器件的最高运作温度为 150°C，适用于严格的环境和温度波动较大的应用。

三、应用领域

STD9NM60N 在多种电力电子设备中均有广泛的应用，特定的应用领域包括：

• 开关电源：其高电压和高电流特性使其特别适合用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器中，用于电源管理系统。
• 电机驱动：在电机控制的高频开关中，STD9NM60N 的优良导通特性使其能够高效驱动各种电机负载。
• LED 驱动电路：可用于高压 LED 照明系统的驱动，提供可调节的功率输出以适应不同应用需求。
• 正逆变器：适用于可再生能源系统，如光伏逆变器和风能逆变器，确保在高压和高效率操作中的表现可靠。

四、总结

STD9NM60N 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET，结合了高电压、高功率和良好的开关性能。其在表面贴装技术 (SMT) 中的封装使得它能够满足现代电子设计的紧凑性需求，广泛用于开关电源、电机驱动和电力管理系统等领域。凭借其优越的性能特点，STD9NM60N 为电子设计工程师提供了一个高效、可靠的解决方案，能够助力于高压、高功率应用的开发和改进。

通过选择 STD9NM60N，设计师和开发者可以在保证系统性能的同时，提升能源利用效率，降低系统的总体成本，从而加速产品的上市时间。这款 MOSFET 代表了当今电力电子元器件的先进水平，是实现高效能电力控制的重要工具。