STD5N20T4
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
DPAK
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
表面贴装型-N-通道-200V-5A（Tc）-45W（Tc）-DPAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.69按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.69
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100+
￥2.07
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1250+
￥1.8
--
2500+
￥1.7
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37500+
产品参数
产品手册
产品概述
STD5N20T4参数
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 200V | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 800 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | DPAK |
STD5N20T4手册
STD5N20T4概述
STD5N20T4 产品概述
产品名称: STD5N20T4
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
封装类型: DPAK (TO-252-3, SC-63)
FET类型: N通道 MOSFET
一、基本特性
STD5N20T4 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，具有出色的电气性能和广泛的应用能力。其主要性能参数包括：
- 漏源极电压 (Vdss): 200V
- 连续漏极电流 (Id): 5A (在 Tc=25°C 时)
- 功率耗散 (Ptot): 45W (在 Tc=25°C 时)
- 导通电阻 (Rds On): 最大值 800 毫欧 @ 2.5A，10V
- 栅极-源极电压 (Vgs): ±20V
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 4V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 最大值 27nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 最大值 350pF @ 25V
- 工作温度范围: 可承受的工作温度高达 150°C
二、技术特点
STD5N20T4 的设计重点是实现良好的热管理和高效的电流控制。由于其较低的导通电阻和较高的功率耗散能力，这款 MOSFET 适合用于各种需要在中高电压下高效控制功率的应用中。
- 高效能: 较低的 Rds On 意味着在导通时的功耗较低，从而提高了整体能效。这使其在驱动大功率负载时表现尤为卓越。
- 稳定性: 能够在高温环境下正常工作，使其适用于严格的工业应用，比如电机控制和开关电源(SMPS)。
- 小型封装: DPAK 封装设计适用于表面贴装，使其在空间受限的应用场合中，容易集成进电路设计中。
三、应用领域
STD5N20T4 可广泛应用于以下几个领域：
- 电源管理: 在开关电源和DC-DC转换器中，用于功率开关。
- 电机控制: 用于马达驱动器，能够控制电机的启停及转速。
- LED驱动: 适用于高功率LED的驱动电路中。
- 汽车电子: 有助于减少电力损耗，提升能源利用效率，适用于汽车的启停控制和电网负载调节。
四、结论
STD5N20T4 结合了意法半导体在半导体技术方面的先进设计，使其成为业界领先的高电压 MOSFET 之一。无论是在电源管理、工业自动化、还是在电动车的动力系统中，STD5N20T4都能够提供卓越的性能和可靠性。凭借其高功率处理能力与广泛的温度范围，这款 MOSFET 是工程师们在设计高效能电路时不可或缺的优选组件。
总之，STD5N20T4 是一款经得起多种应用严格考验的高性能 N 通道 MOSFET，为现代电子产品的优化设计提供了一种可靠且高效的解决方案。