STD4N80K5

STD4N80K5 产品概述

产品名称：STD4N80K5
类型：N沟道MOSFET
制造商：意法半导体 (STMicroelectronics)
封装类型：DPAK (TO-252-3)

基本规格

STD4N80K5是一款高电压，低功耗的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有800V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id @ 25°C）。其设计旨在满足各种应用需要，尤其适用于高频开关电源、直流—直流变换器和其他高压电气设备。

核心参数

1. 漏源电压（Vdss）：800V

   • 这使得STD4N80K5能够在高电压环境中稳定工作，适合高压电源和工业设备。

2. 连续漏极电流（Id）：3A（Tc）

   • 在设定的工作温度下轴向稳定传输电流，保证设备的可靠性和安全性。

3. 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：5V @ 100µA

   • 此参数确保该器件在5V的栅极电压下能够有效开启，使其具备良好的驱动特性。

4. 漏源导通电阻（Rds(on)）：2.5Ω @ 1.5A, 10V

   • 低的导通电阻意味着更高的效率和较低的功率损耗，这对于电源管理和热管理非常重要。

5. 最大功率耗散：60W (Tc)

   • 该MOSFET可以处理相对较大的功率，同时具备卓越的热管理能力，适用于高功率应用。

6. 驱动电压：10V

   • 优化的驱动电压，有助于快速开启和关闭，确保MOSFET在高频应用中的反应速度。

7. 工作温度范围：-55°C 到 150°C

   • 广泛的工作温度范围使其能够在极端环境中稳定工作，增加了应用的灵活性。

性能特征

• 输入电容 (Ciss)：175pF @ 100V

  • 相对较低的输入电容使得栅极驱动更为高效，适用于高频开关应用。

• 栅极电荷 (Qg)：10.5nC @ 10V

  • 减少了驱动电源的负担，提高开关效率，适合要求高效率的应用场景。

• 最大栅压（Vgs max）：±30V

  • 提供额外的保护，确保在极端情况下MOSFET不会因过高的栅源电压而损毁。

应用场景

STD4N80K5的高耐压、高效能特性使其适用于多种应用场景，包括但不限于：

• 高压开关电源（SMPS）
• 直流-直流变换器
• 电机驱动
• UPS（不间断电源）
• 逆变器

由于其优良的热性能和高可用性，STD4N80K5也常被应用于要求严格的工业电子设备中。

封装与安装

该器件采用DPAK封装（TO-252-3），适合表面贴装技术（SMT）。DPAK封装提供了良好的热管理性能和适中的PCB占用空间。制造过程中，便于自动化焊接，有效提升生产效率。

结论

STD4N80K5以其出色的电气特性和机械结构，适合在高压和高功率场合中使用，是优化电源设计和提升系统性能的重要元器件。意法半导体在这一领域的专业经验和先进技术确保了STD4N80K5的高质量和可靠性，成为工程师们在设计电源和驱动设备时的重要选择。