注：图像仅供参考，请参阅产品规格
STB12NM50ND
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
D2PAK
包装 :
编带
重量 :
1.915g
描述 :
场效应管(MOSFET) 100W 500V 11A 1个N沟道 TO-263-2
库存 :
150(起订量1,增量1)
批次 :
18+数量 :
X
9.8按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥9.8
--
100+
￥8.31
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STB12NM50ND参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 380mΩ @ 5.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 100W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 380 毫欧 @ 5.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 850pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 100W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
STB12NM50ND手册
无数据
STB12NM50ND概述
STB12NM50ND 产品概述
一、产品简介
STB12NM50ND 是意法半导体（STMicroelectronics）旗下的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件主要设计用于高压、高功率应用，适合用于开关电源、逆变器、电动机驱动、以及其他需要高电流和高电压的场合。它具有最高500V 的漏源电压、11A 的连续漏极电流，适应广泛的工业和消费级电子电路应用。
二、基本参数
STB12NM50ND 的核心规格参数包括：
- 漏源电压（Vdss）: 500V
- 连续漏极电流（Id）: 11A（在25°C时）
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 5V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds On）: 380mΩ @ 5.5A, 10V
- 最大功率耗散: 100W（在25°C的情况下）
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C
- 输入电容（Ciss）: 850pF @ 50V
- 栅极电荷（Qg）: 30nC @ 10V
- 封装: D2PAK（TO-263-3, D²Pak）
这些参数使得 STB12NM50ND 在电力电子设备中实现优秀的性能，特别是在需要频繁开关的应用中表现突出。
三、设计特点
高压和高电流能力: STB12NM50ND 支持高达 500V 的操作电压，并能承载 11A 的连续电流，非常适用于需要高功率的应用场合，如电源管理和工业设备控制等。
低导通电阻: 380mΩ 的低导通电阻能够有效减少功率损耗，提高电路的整体效率。其在5.5A和10V条件下的表现，确保了在实际工作条件下的表现优异。
广泛的工作温度范围: 器件的工作温度高达 150°C，使其适用于各种恶劣环境，提升系统的安全性和可靠性。
便捷的封装形式: D2PAK 封装不仅提供较好的散热效果，还有助于自动化生产线的快速贴装。其设计紧凑，有助于在空间有限的设计中使用。
四、应用领域
STB12NM50ND 的应用范围广泛，包括但不限于：
- 开关电源: 在各种电源转换器中充当功率开关，用于有效能量管理。
- 电动机驱动: 在电动机控制器中的应用，提供精准控制和高效能量传输。
- 逆变器: 用于将直流电转换为交流电，应用在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中。
- 其他高功率电路: 适用于所有需要高电流和高电压的电子电路设计。
五、总结
总而言之，STB12NM50ND 作为一款高效的 N 沟道 MOSFET，凭借其优越的电气特性、较宽的应用范围和可靠的工作性能，成为工业和消费类电子产品设计的重要选择。它能够帮助设计师构建高效、可靠的电源解决方案，在市场上具有良好的竞争力。无论是用于电源转换、motors 驱动，还是高功率电子设备控制，STB12NM50ND 都能为用户提供理想的解决方案。