封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB | FET类型 | N沟道 |
漏源极电压(Vdss) | 800V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 800V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 400 毫欧 @ 5.5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 43.6nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1630pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 150W(Tc) |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 供应商器件封装 | D2PAK |
STB11NM80T4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能N沟道MOSFET,专门设计用于高电压和高功率应用,提供可靠且高效的解决方案。其主要特点包括支持高达800V的漏源极电压(V_dss)、11A的连续漏极电流(I_d),以及最大功率耗散可达到150W的能力。
封装类型: STB11NM80T4采用D²Pak封装,符合TO-263-3系列标准。这种表面贴装(SMT)封装方式不仅方便集成到各种电路板设计中,还能够有效提高散热性能,是现代电子设计中常用的封装形式。
电气特性:
导通电阻(R_ds(on)): 在5.5A电流下,导通电阻的最大值为400毫欧(Ω),在10V的栅极驱动电压下。这种低导通电阻特性使其在开关过程中损耗较少,提升了整体系统的效率。
栅极特性:
频率特性:
工作温度范围: STB11NM80T4的工作温度范围为-65°C至150°C,确保在严苛环境条件下仍然能稳定工作。
由于STB11NM80T4的高电压、高电流特性,它被广泛应用于多种行业,包括但不限于:
STB11NM80T4是一款值得信赖的高性能N沟道MOSFET,它凭借其卓越的电气特性和广泛的应用范围,非常适合现代高效率、高功率的电子设计需求。无论是在电源管理、汽车电子还是工业自动化领域,该器件都能提供优良的性能支持,帮助工程师实现更高效能的电路设计。在选择高电压、低导通电阻的解决方案时,STB11NM80T4无疑是一个理想的选择。