STB11NM80T4 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STB11NM80T4

商品编码: BM0000284498
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
D2PAK
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
表面贴装型-N-通道-800V-11A(Tc)-150W(Tc)-D2PAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
13.21
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥13.21
--
100+
¥11.8
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STB11NM80T4参数

封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263ABFET类型N沟道
漏源极电压(Vdss)800V栅源电压 Vgss±30V
安装类型表面贴装(SMT)FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)800V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)400 毫欧 @ 5.5A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)43.6nC @ 10VVgs(最大值)±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1630pF @ 25V功率耗散(最大值)150W(Tc)
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)供应商器件封装D2PAK

STB11NM80T4手册

STB11NM80T4概述

STB11NM80T4 产品概述

STB11NM80T4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能N沟道MOSFET,专门设计用于高电压和高功率应用,提供可靠且高效的解决方案。其主要特点包括支持高达800V的漏源极电压(V_dss)、11A的连续漏极电流(I_d),以及最大功率耗散可达到150W的能力。

主要规格

  1. 封装类型: STB11NM80T4采用D²Pak封装,符合TO-263-3系列标准。这种表面贴装(SMT)封装方式不仅方便集成到各种电路板设计中,还能够有效提高散热性能,是现代电子设计中常用的封装形式。

  2. 电气特性

    • 漏源极电压(V_dss):高达800V,适用于要求较高电压的应用场合。
    • 持续漏极电流(I_d):在25°C环境温度下,连续电流可达到11A(Tc)。这使其成为高功率电源及负载驱动电路的理想选择。
    • 功率耗散:最大功率耗散为150W(Tc),使得这种元件适用于高功率电路,能够承受较大的热负荷。
  3. 导通电阻(R_ds(on)): 在5.5A电流下,导通电阻的最大值为400毫欧(Ω),在10V的栅极驱动电压下。这种低导通电阻特性使其在开关过程中损耗较少,提升了整体系统的效率。

  4. 栅极特性

    • 栅源极电压(V_gss):最大耐压为±30V,适合多种驱动要求的电路设计。
    • 栅极阈值电压(V_gs(th)):最大值为5V @ 250µA,说明其在较低的栅极驱动电压下也能启动工作。
    • 栅极电荷(Q_g):在10V驱动下,最大栅极电荷为43.6nC,适合快速开关的应用。
  5. 频率特性

    • 输入电容(C_iss):在25V时,输入电容最大值为1630pF,适合高频应用,有助于减小开关损失。
  6. 工作温度范围: STB11NM80T4的工作温度范围为-65°C至150°C,确保在严苛环境条件下仍然能稳定工作。

应用领域

由于STB11NM80T4的高电压、高电流特性,它被广泛应用于多种行业,包括但不限于:

  • 电源管理:如开关电源(Switching Power Supply,SPS)和不间断电源(UPS)系统。
  • 工业自动化:高功率驱动和控制电路。
  • 汽车电子:例如大功率马达驱动和电池管理系统。
  • 电力电子:如变频器(Inverter),电动驱动系统(Drive Systems)等。

总结

STB11NM80T4是一款值得信赖的高性能N沟道MOSFET,它凭借其卓越的电气特性和广泛的应用范围,非常适合现代高效率、高功率的电子设计需求。无论是在电源管理、汽车电子还是工业自动化领域,该器件都能提供优良的性能支持,帮助工程师实现更高效能的电路设计。在选择高电压、低导通电阻的解决方案时,STB11NM80T4无疑是一个理想的选择。