SQM120P06-07L_GE3
SQM120P06-07L_GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 120A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 6.7mΩ @ 30A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 375W(Tc) | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.7 毫欧 @ 30A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 270nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 14280pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
SQM120P06-07L_GE3手册
SQM120P06-07L_GE3概述
产品概述：SQM120P06-07L_GE3
概述
SQM120P06-07L_GE3 是一种高性能 P 沟道金属氧化物场效应管 (MOSFET)，专为高电压、高电流应用而设计。其优异的参数使得其在电力电子、汽车和工业控制领域中具有广泛的适用性。该器件的封装为 TO-263（D2Pak），这是一种具备优良散热性能和适合表面贴装的封装类型。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 120A（在 25°C 条件下， Tc）
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2.5V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 6.7mΩ @ 30A, 10V
- 最大功率耗散: 375W（在 Ta=25°C 条件下，Tc）
- 工作温度范围: -55°C 至 175°C（TJ）
性能特点
SQM120P06-07L_GE3 提供了极低的导通电阻，即 6.7毫欧，这对于减少功率损耗至关重要，特别是在高电流应用中。它的高连续漏极电流能力（120A）和高功率耗散能力（375W）使其能够在严苛环境和高负载条件下正常工作。这使得此 MOSFET 成为需要高效能和可靠性的电源开关以及线性调节器应用的理想选择。
驱动要求
器件的驱动电压范围为 4.5V 到 10V，使其能够适应多种控制电路设计。在实现最大 Rds(on) 时，它需要的 Vgs 为 10V。合理选择驱动电压不仅可以确保该 MOSFET 的高效开启，还可以优化其热性能，延长器件寿命。
电容特性
在不同漏源电压 (Vds) 条件下，SQM120P06-07L_GE3 的输入电容 (Ciss) 最大值为 14280pF @ 25V。这一电容效应在高频应用中对控制电路的设计是至关重要的，可以影响2频响应和开关损耗。
应用场景
这种 MOSFET 特别适合用于以下应用：
- 电源管理：如 DC/DC 转换器、功率调节器等，利用 MOSFET 的低导通电阻特性，有效提高能量转换效率。
- 电动机驱动：能够支持高电流需求的电动机控制，提升系统的输出功率和抗干扰能力。
- 汽车电子：在汽车电源分配和驱动电路中，SQM120P06-07L_GE3 的高耐压和宽温度范围让其成为高度可靠的选择。
封装与制造
SQM120P06-07L_GE3 采用 TO-263 (D2Pak) 封装，这种封装类型不仅便于自动化贴装，还具备优良的散热性能，适合高功率及高频应用。订单供货方面，该产品由 VISHAY（威世）品牌制造，确保了产品的质量和稳定性。
总结
SQM120P06-07L_GE3 是一款高效、强大的 P 沟道 MOSFET，凭借其卓越的性能参数、耐高温特性和宽广的应用范围，成为现代电力电子设计中不可或缺的组件。无论是在高电流电源管理，还是电动机驱动和其他工业应用中，该器件都能够提供可靠的服务和出色的性能表现，是高要求设计师的理想选择。