漏源电压(Vdss) | 60V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 4.3A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 95mΩ @ 4.5A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 3W(Tc) | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 95 毫欧 @ 4.5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 550pF @ 30V | 功率耗散(最大值) | 3W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
SQ2362ES-T1_GE3 是一款高性能 N 通道 MOSFET,由知名半导体制造商 VISHAY(威世)生产。它的设计旨在满足现代功率管理和开关应用的需求,特别是在电源转换、马达驱动及其他电气设备中。该器件结合了优异的电气特性与紧凑的封装形式,以支持高效能与系统集成的现代设计。
SQ2362ES-T1_GE3 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,使其在极端环境条件下也能稳定运行。这一点对于许多工业和商用应用来说至关重要,尤其是在高温或低温环境中。
该 MOSFET 采用 SOT-23-3(TO-236)表面贴装封装,具有小尺寸和轻量化的特性,便于在紧凑型电子设备中安装。SOT-23-3 封装在现代电子产品中非常常见,支持自动化贴片工艺,提升了生产的效率。而且,其优良的散热性能和小占用空间也有利于提高整体电路的性能。
SQ2362ES-T1_GE3 的设计使其能够广泛应用于多种领域,包括但不限于:
SQ2362ES-T1_GE3 是一款在电力电子领域中表现出色的 N 通道 MOSFET,凭借其优异的电气性能、可靠的工作稳定性和便于集成的封装设计,成为现代电子和电气设备的理想选择。VISHAY 作为该产品的制造商,以其在半导体行业的专业经验,确保了该器件的质量和性能。无论是在工业应用、消费电子还是高负载开关应用中,SQ2362ES-T1_GE3 均能满足用户的需求,是一个值得信赖的解决方案。