晶体管类型 | PNP | 集电极电流Ic | 4A |
集射极击穿电压Vce | 60V | 额定功率 | 1.2W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 4A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 240mV @ 200mA,4A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 20nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 2A,2V | 功率 - 最大值 | 1.2W |
频率 - 跃迁 | 165MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
ZXTP2027FTA 产品概述
ZXTP2027FTA 是一款高性能的PNP型晶体管,主要用于各种低功耗电子电路和信号处理应用。该器件由知名电子元器件公司DIODES(美台)制造,其高额定电流和电压,使其在多个应用中显示出卓越的性能和可靠性。接下来将针对其主要参数和应用场景作出详细介绍。
ZXTP2027FTA具有4A的集电极电流(Ic)最大值,能够处理高达60V的集射极击穿电压(Vce),这使其适用于需要较高电流和电压的应用。器件的额定功率为1.2W,充分满足大多数中低功耗电路设计的要求。
该晶体管的饱和压降表现优异,在200mA和4A的工作条件下,Vce饱和压降最大值仅为240mV,这降低了信号的失真并提高了整体效率。此外,ZXTP2027FTA具有极低的集电极截止电流(ICBO),最大值为20nA,极大地提升了该器件的开关性能和稳定性。
ZXTP2027FTA的频率跃迁达到了165MHz,这个参数是其在高频应用中的一个亮点,意味着该晶体管能够适应较高的开关频率,适合用于快速开关电路和信号放大器等应用。同时,在2A和2V的工作条件下,其DC电流增益(hFE)最小值为100,显示出良好的电流放大性能,能够有效提高电路的工作效率。
该晶体管的工作温度范围为-55°C至150°C,使其在各种严苛的环境条件下也能稳定工作,这对于工业、汽车和航空航天等领域的应用尤为重要。ZXTP2027FTA采用表面贴装型(SMD)封装,具体封装形式为SOT-23,体积小巧,适合现代电子产品对空间和性能的双重要求。
ZXTP2027FTA广泛应用于多个领域,包括但不限于:
开关电源:其高集电极电流能力和良好的开关特性,使其非常适合用于开关电源电路中,从而提升电源的转换效率。
音频放大器:凭借出色的增益特点,该器件常被用于音频放大器设计中,以提高信号质量和输出功率。
驱动电路:在各种驱动电路(如电动机驱动、LED驱动等)中,ZXTP2027FTA可作为信号开关器件,具有较强的负载能力和可靠的驱动性能。
高频应用:得益于其较高的频率跃迁,ZXTP2027FTA适用于高频信号处理及通讯设备中,保障信号传输的稳定性。
ZXTP2027FTA以其高电流和电压,优秀的饱和压降,良好的增益与频率特性,以及宽广的工作温度范围,成为现代电子设计中不可或缺的器件之一。通过其小巧的SOT-23封装,ZXTP2027FTA不仅满足了对性能的需求,也在一定程度上优化了设计的空间使用。因此,无论是在消费电子、工业设备还是通信产品中,这款PNP晶体管都展现出了极好的适用性和市场竞争力,值得设计工程师在设计方案中考虑使用。