安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
频率 - 跃迁 | 142MHz | 功率 - 最大值 | 3W |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V | 晶体管类型 | PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 295mV @ 200mA,2A | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 100mA,2V |
产品概述:ZXTP19100CGTA
ZXTP19100CGTA是一款高性能的表面贴装型PNP晶体管,具有优良的电气特性和极广泛的应用场合。该器件的设计适合于各种需要高电流和高电压的应用,是电子电路中不可或缺的元件。来自著名厂商DIODES(美台),ZXTP19100CGTA在有效满足现代电子设备需求的同时,还确保了可靠性和耐用性。
基础参数
ZXTP19100CGTA的电流-集电极(Ic)最大值为2A,适用于高负载需求。其集电极截止电流(ICBO)最大值仅为50nA,表明该晶体管在关闭状态下的漏电流极小,从而提高了系统的整体能效和可靠性。此外,该器件的工作温度范围为-55°C至150°C(TJ),使其在苛刻的环境下仍能正常工作,满足工业及医用设备对温度的严苛要求。
在频率性能方面,ZXTP19100CGTA的跃迁频率可达142MHz,充分支持高频应用中的信号放大和处理需求,适合用于通信、电源管理以及信号处理等领域。
电压与功率特性
ZXTP19100CGTA的最大集射极击穿电压为100V,同时功率最大值为3W,这使得该元件能够承受较高的电压和功率负载,确保在高压电源或开关电路中的稳定性。在实际应用中,这种能力对于防止由于突发电压引起的器件损坏非常重要。
饱和压降与增益特性
该晶体管在不同的集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)下,饱和压降Vce在200mA时为295mV,表现出良好的热稳定性和效率。这一特性确保了在高负载的情况下,ZXTP19100CGTA仍然能够保持较低的功耗,降低发热量,从而提高了系统的安全性和可靠性。
在直流电流增益(hFE)方面,ZXTP19100CGTA在100mA集电极电流和2V的情况下,增益最小值达到了200,表明其在小信号增益方面的优越性能。这种高增益特性使得该晶体管非常适合用于信号放大、开关和脉冲驱动等应用,从而提高了电子设备的性能。
封装与应用
ZXTP19100CGTA采用SOT-223表面贴装封装,这一封装结构紧凑,适合高密度电路设计,符合现代电子产品对尺寸和重量的严格要求。该器件适用于各种市场,包括消费电子、工业自动化、汽车电子以及医疗设备,能够满足多种复杂电路中的设计需求。
总结
综上所述,ZXTP19100CGTA是一款出色的PNP晶体管,具有强大的电流和电压承受能力、优秀的增益表现、低饱和压降及宽工作温度范围。其表面贴装型设计进一步满足了现代电子产品对高效、可靠和紧凑的要求。作为DIODES(美台)推出的高质量产品,ZXTP19100CGTA将在日益增长的高频、高功率应用中发挥重要作用,是设计师在选择器件时的理想选择。无论是在高效能电源管理、信号处理还是其他电路应用中,ZXTP19100CGTA都将为系统带来卓越的性能和稳定性。