ZXTN619MATA
ZXTN619MATA参数
| 晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 4A |
| 集射极击穿电压Vce | 50V | 额定功率 | 3W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 4A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 320mV @ 200mA，4A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 25nA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 2A，2V | 功率 - 最大值 | 3W |
| 频率 - 跃迁 | 165MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 3-UDFN |
| 供应商器件封装 | DFN2020B-3 |
ZXTN619MATA手册
ZXTN619MATA概述
产品概述：ZXTN619MATA
一、基本信息
ZXTN619MATA是一款高性能的NPN型晶体管，其设计专注于满足各种工业和消费电子设备的需求。该器件由DIODES（美台）公司生产，采用U-DFN2020-3封装，适用于表面贴装 (SMD) 应用。其额定功率为3W，支持高达4A的集电极电流 (Ic)，并具备优异的电流增益和击穿电压特性，提供了有效的解决方案，在广泛的电子设计中都能够找到应用。
二、关键参数
晶体管类型: ZXTN619MATA为NPN型晶体管，适合用于高电流和高电压的开关及放大应用。
集电极电流 (Ic): 最大可达4A，支持高负载条件下的稳定工作，适合驱动电机、继电器及其他高功率负载。
集射极击穿电压 (Vce): 最高为50V，此参数确保在高电压环境中的可靠性，使其在汽车电子、消费者电子和工业控制系统等领域的应用变得更加安全。
饱和压降 (Vce(sat)): 最大饱和压降为320mV（在200mA和4A集电极电流条件下），这表明了该器件在高电流条件下仍能保持低功耗，有效减少发热，提高整体效率。
电流增益 (hFE): 在2A和2V时，DC电流增益的最小值为100，表示该器件在放大小信号时具有较好的性能。
频率特性: ZXTN619MATA的跃迁频率为165MHz，使其能够在高频应用中提供较好的增益，适合高频开关电路设计。
工作温度范围: 工作温度介于-55°C至150°C，能够在极端环境下运行，适合用在恶劣温度条件下的应用，如工业设备和汽车电子系统。
电流 - 集电极截止: 仅为25nA，显示该器件具有极低的漏电流特性，加之适合可能需要长时间待机的应用。
三、应用领域
ZXTN619MATA的多项优越特性使其在以下领域具有广泛应用：
电源管理: 可用于切换电源模块中的高效开关元件，提高电源转化效率。
音频放大器: 由于其良好的电流增益特性，非常适合用于音频信号的放大。
电动机驱动: 在电动机启动和速度控制中，可以作为开关元件，从而实现高效控制。
消费电子: 在智能手机、平板电脑等消费电子设备中也有应用，能够提供信号放大和驱动功能。
汽车电子: 由于其抗高温和高电压的特性，尤其适合用于汽车电子驱动、传感器接口等高要求场合。
四、总结
ZXTN619MATA是一款功能丰富、性能卓越的NPN晶体管，凭借其高达4A的集电极电流能力、50V的击穿电压及良好的电流增益特性，将在不同的电子产品设计中发挥至关重要的作用。无论是在功率放大、开关控制还是电源管理等领域，ZXTN619MATA都保证了可靠性和高性能，是设计工程师可靠的选择。它的广泛适用性和卓越性能使其成为现代电子设计中不可或缺的核心器件。