ZXTN25100BFHTA
ZXTN25100BFHTA参数
| 额定功率 | 1.25W | 集电极电流Ic | 3A |
| 集射极击穿电压Vce | 100V | 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 300mA，3A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 50nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，2V | 功率 - 最大值 | 1.25W |
| 频率 - 跃迁 | 160MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
ZXTN25100BFHTA手册
ZXTN25100BFHTA概述
ZXTN25100BFHTA 产品概述
ZXTN25100BFHTA是一款高性能的NPN型双极晶体管（BJT），具有出色的电气特性和广泛的应用适用性。该器件由DIODES（美台）公司生产，主要用于开关和放大电路，并特别适合于高频和高电流的应用场景。其小型化的SOT-23封装使其非常适合在空间受限的电子设备中使用。
主要规格
额定功率和电流能力：该晶体管的额定功率为1.25W，能够承载高达3A的集电极电流（Ic）。这使得ZXTN25100BFHTA非常适合用于要求较高电流输出的应用），比如电源开关、电机驱动和其他需要功率放大的电子电路。
电压承受能力：晶体管的集射极击穿电压（Vce）的最大值为100V，这意味着它能够在电源电压高达100V的条件下安全操作，适用于多种高压应用。
低饱和压降：ZXTN25100BFHTA在工作时表现出较低的饱和压降，其最大值为0.25V（在300mA和3A电流下）。这一特性有助于提高功率转换效率，减少热量产生，延长元器件和整个电路的使用寿命。
高增益特性：在较低的基极电流（Ib）下，该晶体管显示出DC电流增益（hFE）的最小值为100（在10mA和2V时），这使得它在放大应用中有着良好的性能。
极低的集电极截止电流：ZXTN25100BFHTA的集电极截止电流（ICBO）最大值仅为50nA，使其在静态工作条件下具有极低的功耗，适合用于便携式设备和电池供电的应用。
工作温度与频率
该晶体管的工作温度范围从-55°C到150°C，能够适应各种严苛的环境条件，保证其在不同温度下的稳定性和可靠性。此外，ZXTN25100BFHTA的频率跃迁频率高达160MHz，使其在高频应用中表现优异，适合用于RF放大器和无线通讯设备。
封装与安装类型
ZXTN25100BFHTA采用SOT-23封装，这是一种紧凑型的表面贴装封装，适合高密度电路板设计。SOT-23 封装不仅易于焊接，而且在小型电子设备中安装更加便利，使得配合现代表面贴装技术的产业需求，提升了生产效率。
应用领域
ZXTN25100BFHTA广泛应用于以下领域：
- 电源管理：在DC-DC转换器和线性稳压器中用作开关控制元件。
- 信号放大：作为音频和RF相关应用中的放大器，增强信号质量。
- 驱动电路：可驱动低功率继电器、电机和灯光设备等。
- 通信用器件：其高频和低噪音特性使其适合于无线通信和广播应用。
总结
综上所述，ZXTN25100BFHTA是一款高效能，具备多种优秀特性的NPN型三极管。其高电流承载能力、低功耗、高增益及宽工作温度范围，使得它在广泛的电子应用中表现出色。现代电子器件对性能、能效及体积的严苛要求使得ZXTN25100BFHTA成为非常理想的选择，无论是在消费电子、工业设备还是通讯领域都有着广泛的应用前景。