晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 6A |
集射极击穿电压Vce | 60V | 额定功率 | 3W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 6A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 260mV @ 300mA,6A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 2A,1V | 功率 - 最大值 | 3W |
频率 - 跃迁 | 130MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
ZXTN2010GTA 是一种高性能的 NPN 型晶体管,由 DIODES(美台)公司制造,采用 SOT-223 封装,旨在满足多种电子应用的需求。其具有优良的电气特性和可靠性,使其在功率放大、开关和信号处理等领域表现出色。此晶体管特别适合高频、高效率的应用场景,支持最多 6A 的集电极电流和高达 60V 的集射极击穿电压。
ZXTN2010GTA 采用 SOT-223 封装,属于小型封装形式,适合高密度电路板设计。该封装的体积小、散热性能良好,非常适合便携式设备和空间有限的应用场合。
ZXTN2010GTA 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
ZXTN2010GTA 是一款具有优异性能和高可靠性的 NPN 晶体管,适合各种需要高电流和高频的电子应用。该产品不仅在技术规格上满足了现代电子产品的需求,还具备良好的工作稳定性,能够在严酷的温度条件下持续运作。无论是在消费电子、工业自动化还是通信领域,ZXTN2010GTA 都是一个杰出的选择,为设计师提供了广泛的灵活性和优秀的性能表现。