ZXMP7A17GTA
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT223
包装 :
编带
重量 :
0.232g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2W 70V 2.6A 1个P沟道 SOT-223
库存 :
2421(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
2.18按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.18
--
50+
￥1.68
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
ZXMP7A17GTA参数
| 漏源电压（Vdss） | 70V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.6A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 160mΩ @ 2.1A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 2.1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 635pF @ 40V | 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
ZXMP7A17GTA手册
ZXMP7A17GTA概述
ZXMP7A17GTA 产品概述
一、产品简介
ZXMP7A17GTA 是一款高性能的P沟道MOSFET，适合广泛的电子应用，在电源管理、开关控制以及信号调节等场景中表现优异。该器件由DIODES（美台）公司生产，采用SOT-223封装，具有很好的散热性，适合表面贴装（SMD）工艺，能够有效提升PCB设计的紧凑性和降低整体系统的尺寸。
二、关键参数
- 漏源电压（Vdss）: ZXMP7A17GTA 的最大漏源电压为70V，允许在许多高压电路中安全可靠地工作，为设计师提供了良好的灵活性。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，该元件的连续漏极电流为2.6A，能够满足中等电流负载的需求，适合于各种电源开关和电机控制应用。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 最小栅源极阈值电压为1V @ 250µA，这意味着在较低的栅源电压下就能快速打开，适合与各种控制逻辑电平协调工作。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在2.1A电流和10V栅压下，Rds(on)为160mΩ，确保系统在导通状态时具有较低的功耗和热发散，从而提高整体效率。
- 输入电容（Ciss）: 在40V时，输入电容（Ciss）为635pF，这一特性使得该MOSFET能够快速响应开关信号，降低所需的驱动功率和延迟。
- 栅极电荷（Qg）: 在10V时栅极电荷为18nC，进一步确保驱动电路的设计简便性。
- 耐热性能: 工作温度范围为-55°C至150°C，确保器件在极端环境下也能稳定运行。
三、应用领域
ZXMP7A17GTA MOSFET广泛适用于以下几个领域：
- 电源管理: 适用于开关电源、降压转换器和升压转换器等场景，能够高效地控制功率的传输。
- 电机驱动: 在各类电机控制电路中，作为开关元件，ZXMP7A17GTA提供了快速响应和低功耗的运行特性。
- 负载开关: 可用于高效的负载切换，适合于LED驱动、自动调光系统和各类消费类电子产品。
- 信号处理: 由于其极低的导通电阻和快速切换特性，适用于高频信号处理和音频电子产品中。
四、设计考虑
在使用ZXMP7A17GTA时，设计师应考虑以下几个方面：
- 散热管理: 虽然该器件支持高达2W的功率耗散，但在实际应用中，散热设计仍然至关重要，确保设备在工作时保持在安全的温度范围内。
- 驱动电压: 确保逻辑信号电压与栅源电压兼容，以充分发挥该MOSFET的性能。
- PCB布局: 在PCB设计中，需关注器件的布局，尽量缩短源极、漏极与控制信号之间的连接，以降低电感和噪声干扰。
五、总结
ZXMP7A17GTA 是一款高性价比、适应性强的P沟道MOSFET，提供了70V的高耐压能力和2.6A的高电流承载能力。其优异的导通特性和小巧的SOT-223封装使其非常适合现代电子产品的需要，无论是在电源管理还是在各种自动化控制应用中，它都能展现出卓越的性能。设计师可根据自身需求灵活选择，充分利用该器件的特性，实现高效能的电路设计。