漏源电压(Vdss) | 100V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 600mA |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1Ω @ 600mA,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 625mW | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 600mA(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1 欧姆 @ 600mA,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 3.5nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 141pF @ 50V | 功率耗散(最大值) | 625mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
产品简介
ZXMP10A13FTA 是一款高性能的 P 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名半导体制造商 DIODES(美台)生产。该器件具备优异的电气特性和稳定的工作性能,特别适合于低功耗开关和线性应用。其关键参数包括最大漏源电压(Vdss)为 100V,连续漏极电流(Id)在 25°C 时可达 600mA,以及较低的漏源导通电阻(Rds(on))为 1Ω(在 10V 和 600mA 条件下),使其成为高效能电路设计的理想选择。
技术规格
ZXMP10A13FTA 的主要技术规格如下:
应用领域
ZXMP10A13FTA 因其优异的性能和灵活的工作条件,非常适合多种应用场景,包括:
开关电源: 在低功耗开关电源中,ZXMP10A13FTA 的高频性能和低导通电阻可有效提高转换效率,降低功耗。
负载开关: 该 MOSFET 可以用于各种电子设备的负载开关控制,帮助有效管理能量分配。
低压驱动: 由于其较低的栅源阈值电压和电流特性,ZXMP10A13FTA 适合于需要低压驱动的应用,比如微控制器输出功率控制。
电池管理系统: 在电池驱动的应用中,该器件可用于电池充放电开关,确保高效的电能利用。
信号放大与处理: ZXMP10A13FTA 适合用作小信号的高频开关和放大器中的开关元件。
优势与特点
总结
ZXMP10A13FTA 是一款功能强大、性能出色的 P 沟道 MOSFET,具有可靠的漏源电压和电流能力,加上出色的导通电阻和功率耗散效率,适合于多种应用场景。其宽广的工作温度范围和便于集成的表面贴装设计,使它成为现代电子电路设计中不可或缺的组件。在设计低功耗、高效率的电子产品时,ZXMP10A13FTA 是一个值得考虑的理想选项。