ZXMN6A11ZTA
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT89
包装 :
编带
重量 :
0.212g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.5W 60V 2.7A 1个N沟道 SOT-89-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.26按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.26
--
50+
￥1.74
--
1000+
￥1.45
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
ZXMN6A11ZTA参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.7A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 120mΩ @ 2.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.5W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 2.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.7nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 330pF @ 40V | 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 | 封装/外壳 | TO-243AA |
ZXMN6A11ZTA手册
ZXMN6A11ZTA概述
ZXMN6A11ZTA 产品概述
一、产品简介
ZXMN6A11ZTA 是一款基于 MOSFET 技术的 N 沟道场效应管，专为高效控制电源和负载提供稳定的性能。该器件封装采用 SOT-89-3，具有紧凑的体积和优良的散热性能，广泛应用于各种电子设备中。本产品的主要参数包括漏源电压（Vdss）为 60V、连续漏极电流（Id）为 2.7A，适合用于电源管理、开关电源和负载驱动等多个领域。
二、主要技术规格
- 漏源电压 (Vdss): 最高可耐受 60V，适用于中等电压的应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境下持续工作时，可承受最大电流为 2.7A，确保稳定的电流输出。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 1V @ 250µA，说明该器件在较低电压下即可有效开启，具备良好的驱动兼容性。
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 120mΩ @ 2.5A, 10V，低导通电阻有助于减少功耗与热量产生，提高电源效率。
- 功率耗散 (Pmax): 1.5W (Ta=25°C)，适合在温度较低的环境下工作，确保长期可靠性。
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，能够满足极端环境下的应用需求。
- 栅极电荷 (Qg): 5.7nC @ 10V，表明器件在开关过程中具有较低的驱动损耗。
- 输入电容 (Ciss): 330pF @ 40V，能够快速响应信号变化，提高开关速度。
三、应用场景
ZXMN6A11ZTA 因其优良的电性能和耐受性，被广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 在开关电源和线性稳压电源中作为主开关，能够有效地控制电源输出电压和电流，提高效率。
- 负载驱动: 适用于电机驱动、灯光控制和其他负载驱动应用，能够在小型设备中实现高效的驱动性能。
- 充电器和逆变器: 在快速充电器和逆变器中扮演关键角色，保证设备高效、稳定地转换电能。
- 消费电子: 广泛用于智能手机、平板电脑、电视及其他家电中，改善其能效和减少热量产生。
四、封装与安装
ZXMN6A11ZTA 的 SOT-89-3 封装适合表面贴装技术（SMD），尺寸小，有助于提高PCB板的空间利用率。同时，SOT-89 的设计使其在散热性能上具有一定优势，适合高功率密度的应用场合。
五、总结
ZXMN6A11ZTA 作为一款性能优异的 N 沟道 MOSFET，凭借其高漏源电压、较低的导通电阻和宽广的工作温度范围，成为各类电子产品中不可或缺的元件。无论在电源管理还是负载驱动方面，ZXMN6A11ZTA 均展现了其卓越的性能及广泛的适用性，使其在现代电子设计中得以广泛应用。
综上所述，ZXMN6A11ZTA 不仅提供了高效的电流控制方案，同时还保证了极高的可靠性和多样的应用可能性，是当前市场上值得信赖的 MOSFET 选择之一。对于设计工程师而言，ZXMN6A11ZTA 是实现高性能、低功耗电子系统的理想解决方案。