ZXMN3A01FTA
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.028g
描述 :
场效应管(MOSFET) 625mW 30V 1.8A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
4605(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
1.24按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.24
--
200+
￥0.953
--
1500+
￥0.828
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3000+
￥0.72
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
ZXMN3A01FTA参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.8A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 120mΩ @ 2.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 625mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.8A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 2.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.9nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 190pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 625mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
ZXMN3A01FTA手册
ZXMN3A01FTA概述
ZXMN3A01FTA 产品概述
ZXMN3A01FTA 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由DIODES（美台）制造，专为各种电子应用而设计。该MOSFET具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，因此特别适合于电源管理、开关电路和高效能转换器等应用场景。
1. 主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id）：1.8A（在环境温度为25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：1V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：120mΩ @ 2.5A, 10V
- 最大功率耗散（Ta=25°C）：625mW
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 封装类型：SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59)
2. 应用领域
ZXMN3A01FTA的设计目标是为广泛的应用提供有效的解决方案。它适合用于：
- 开关电源
- 电动机驱动电路
- LED驱动器
- 负载开关
- 电池管理系统
由于其低的导通电阻，该器件能有效降低能量损耗，提高系统运行效率。
3. 性能特点
低导通电阻: 在2.5A和10V的条件下，ZXMN3A01FTA的漏源导通电阻为120毫欧，这使得在提供相同电流的情况下，器件能够显著降低发热量，提高能效，延长设备使用寿命。
高电流承载能力: 该MOSFET在25°C环境条件下的连续漏极电流可达1.8A，适用于多个负载场合。
广泛的工作温度范围: 该器件的工作温度范围为-55°C到150°C，适合于需要高可靠性和耐极端环境的应用。
精确的栅源极阈值电压: 栅源极阈值电压为1V（在250µA的电流下），能够确保在较低电压驱动下稳妥导通，满足多种驱动器需求。
高效的电荷特性: 最大栅极电荷（Qg）为3.9nC @ 10V，降低了栅极驱动能耗，使得其在高频开关应用中的表现更加出色。
4. 设计和封装
ZXMN3A01FTA采用SOT-23-3封装，体积小巧，表面贴装型设计使得其在空间受限的电路中表现出色。这种封装方式使得器件在PCB上的焊接和布局相对容易，且提高了整体组件的密度，也便于自动化生产。
5. 结论
ZXMN3A01FTA是一款具备高效能和高可靠性的N沟道MOSFET，适用于多种电子和电气应用。其众多优越的性能特征使其能够满足现代电子产品对功率、效率和可靠性的严格要求。无论是在工业、消费电子还是汽车电子领域，它都展现出卓越的应用潜力，值得工程师们在设计时考虑使用。