ZXMN10A09KTC
ZXMN10A09KTC参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 85 毫欧 @ 4.6A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1313pF @ 50V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 26nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 功率耗散（最大值） | 2.15W（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
ZXMN10A09KTC手册
ZXMN10A09KTC概述
ZXMN10A09KTC 产品概述
概述
ZXMN10A09KTC 是一款来自 DIODES（美台）的高性能 N 沟道 MOSFET，采用表面贴装型封装（TO-263），设计用于在多种电子应用中实现高效的电源开关和信号传输。该产品具有优异的电气特性，适合在高温环境和低功耗应用中使用，能够满足现代电子系统日益增长的性能需求。
主要特性
- 最大漏源电压（Vdss）: 100V
- 连续漏极电流（Id）: 5A @ 25°C
- 导通电阻（Rds On）: 最大值 85 毫欧 @ 4.6A，10V
- 最大功率耗散: 2.15W
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 最大栅极电压（Vgs）: ±20V
- 输入电容（Ciss）: 最大值 1313pF @ 50V
- 栅极电荷（Qg）: 最大值 26nC @ 10V
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值 4V @ 250µA
技术规格与性能
ZXMN10A09KTC 的设计重点在于其低导通电阻和高效能，使其在开关应用中节省能耗。其最大导通电阻为 85 毫欧，意味着在开启状态下产生的热量较低，适合用于需要高效率的场合，如 DC-DC 转换器、逆变器和电池管理系统等。由于该 MOSFET 的最大漏源电压可达 100V，因此它能够处理较高的电压应用，适应各种工业和消费电子产品的需求。
该器件的最大连续漏极电流为 5A，且在 25°C 的工作条件下，仍可保持稳定的性能。同时，其功率耗散能力达 2.15W，使其在日常应用中具备良好的可靠性。ZXMN10A09KTC 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，极大增强了其在恶劣环境条件下的应用潜力。
应用领域
ZXMN10A09KTC 适用于多种应用，包括但不限于：
- 电源管理: 在开关电源和 DC-DC 转换器中有效控制能量转换。
- 电机驱动: 作为电机控制电路中的开关元件，能有效地提高驱动效率。
- 逆变器: 在太阳能逆变器和电池逆变器中，通过高效开关确保能量高效转化。
- 汽车电子: 在汽车电源管理和电池监控系统中，用于提高系统性能与稳定性。
封装与安装
ZXMN10A09KTC 采用 TO-263 封装，适合表面贴装技术（SMT），确保在印刷电路板（PCB）上的便捷安装，同时提供优越的散热能力。这种封装方式有助于促进设备的小型化和轻量化，是多层板设计及高密度布局的理想选择。
总结
ZXMN10A09KTC 是一款功能全面且性能优良的 N 沟道 MOSFET，适合广泛的电力管理和电子应用。其高电压承载能力、低功耗特性及宽温度范围使其成为现代电子系统设计中的理想选择。凭借 DIODES（美台）的卓越制造工艺和技术支持，ZXMN10A09KTC 定能满足各种严苛环境下的应用需求，为客户提供可靠且高效的解决方案。