ZVP0545GTA
ZVP0545GTA参数
| 漏源电压（Vdss） | 450V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 75mA |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 150Ω @ 50mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 75mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 欧姆 @ 50mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 120pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
ZVP0545GTA手册
ZVP0545GTA概述
ZVP0545GTA 产品概述
ZVP0545GTA 是由 DIODES（美台）公司生产的一款 P 型沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），广泛应用于航天、工业控制、汽车电子及各种高压电路中。该器件在多个电子应用领域中具备出色的表现，尤其适合需要小型化和高效能的场合。
1. 基本特性
ZVP0545GTA 的漏源电压（Vdss）高达 450V，这意味着它可以在极高电压下稳定工作，适合于高压设备和系统。其连续漏极电流（Id）为 75mA，确保在常规运行条件下提供足够的电流承载能力。该器件的最大功率耗散为 2W，在日常应用中能有效地管理和散发热量，从而维持稳定工作。
2. 驱动和控制
ZVP0545GTA 的栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 4.5V（@ 1mA），这使得该器件能够用较低的栅源电压进行激活，减少了控制电路的复杂性。同时，漏源导通电阻（Rds On）为 150Ω（@ 50mA, 10V），这一特性确保了在开启状态下，器件能有效降低功耗，提高能效并减小热量产生。
3. 工作温度与耐用性
该 MOSFET 具有宽广的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C，使其能够在极端环境条件下稳定运行，适用于不同的工业环境和应用需求。其耐用性确保了器件在操作中不会因环境因素而失效，延长了产品的使用寿命。
4. 封装与安装
ZVP0545GTA 采用 SOT-223 封装，属于表面贴装型，具有较小的占板面积和良好的散热特性。这种封装形式适应现代电子设备对小型化和高密度安装的需求，使其在轻量化和便于自动化装配中表现优异。
5. 应用领域
由于 ZVP0545GTA 的高电压和高温适应能力，这款器件在多个领域都有着广泛的应用，包括：
- 电源管理：用于开关电源、逆变器和各种电源调节电路中。
- 汽车电子：在电动机驱动控制、车载电源转换器和各种传感器接口中均有应用。
- 工业控制系统：用于电机控制、继电器驱动和自动化设备中。
- 消费电子：在各种小型家电和设备中，也能找到它的身影。
6. 总结
ZVP0545GTA 是一款集高性能、可靠性和多功能于一体的 P 型沟道 MOSFET，具有卓越的电气特性与广泛的应用潜力。其高压能力、适应极端工作环境的能力，以及高效的热管理特性，使其在现代电子设计中成为理想选择。随着对高效能和小型化电子元件需求的不断增长，ZVP0545GTA 无疑将继续在各大领域中发挥重要作用。