ZVN3310FTA
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.028g
描述 :
场效应管(MOSFET) 330mW 100V 100mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
1.12按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.12
--
200+
￥0.86
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1500+
￥0.748
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
ZVN3310FTA参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100mA |
| 漏源导通电阻 | 10Ω @ 500mA,10V | 栅源极阈值电压 | 2.4V @ 1mA |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 330mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 欧姆 @ 500mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 40pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 330mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
ZVN3310FTA手册
ZVN3310FTA概述
ZVN3310FTA 产品概述
一、基本介绍
ZVN3310FTA 是一款由 DIODES（美台）公司生产的 N 通道 MOSFET，优秀的性能使其广泛应用于低电压和中功率的开关电源、功率调节和信号放大等领域。它采用小型的 SOT-23 封装，具有卓越的热性能，适合各种现代电子设备的紧凑布局。
二、核心参数
- 漏源电压 (Vdss): 最大工作电压可达 100V，适合中高电压的应用场景。
- 连续漏极电流 (Id): 于 25°C 环境下的最大额定电流为 100mA，支持多种负载条件。
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 500mA 和 10V 时的导通电阻为 10Ω，提供良好的导通性能，降低开关损耗。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 在 1mA 时，栅源极阈值电压为 2.4V，确保 MOSFET 能够在较低电压下正常开启。
- 功率耗散 (P): 在 25°C 下的最大功率耗散为 330mW，这使得它在高温和高负载条件下具有较为显著的安全余量。
- 工作温度范围: 支持的工作温度为 -55°C 到 150°C，适合于苛刻的工作环境。
三、封装与安装
ZVN3310FTA 采用 SOT-23-3 封装，这种封装结构不仅便于表面贴装，也能够有效地降低排热阻抗。小巧的尺寸使其非常适合于小型设备或高密度电路板设计，能够帮助设计师节省空间并提升装配效率。
四、应用领域
- 开关电源 (SMPS): 由于其优良的电流承载能力和导通电阻，ZVN3310FTA 可广泛应用于高效的开关电源设计中，帮助提升整体能效。
- 功率模块: 在印刷电路板（PCB）中，ZVN3310FTA 可作为功率调节器和负载开关，适应多种功率管理场合。
- 驱动电路: 其较低的栅电压和导通电阻特性使 ZVN3310FTA 成为合适的负载驱动解决方案，如继电器和LED驱动。
- 音频信号放大: 适合用于小型音频功放和其他信号放大应用，能够提升信号的强度和清晰度。
- 电池管理系统: 在电池供电的电子设备中，ZVN3310FTA 也能通过其优异的能量转换效率来延长电池使用寿命。
五、总结
ZVN3310FTA 是一款性能优良、应用广泛的 N 通道 MOSFET，其高效的导通特性、良好的热稳定性、高电压承受能力以及小型封装，使其在现代电子设计中具备更大的灵活性与适应性。无论是在严格的环境温度下使用，还是在复杂的电源管理系统中，ZVN3310FTA 都能够完美胜任，成为设计师首选的优质元器件。