晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 47 千欧,10 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA / 300mV @ 250µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 |
供应商器件封装 | SOT-353 |
UMC4N-7 是一款由 DIODES(美台)公司生产的高性能数字晶体管,采用5-TSSOP封装(SOT-353),专为现代电子电路设计而优化。该元件包含一个NPN和一个PNP晶体管,采用预偏置配置,能够满足多种应用场合的需求,尤其在低功耗和高效率的数字电路中表现优异。
UMC4N-7 的最大集电极电流(Ic)可达100mA,能够应对相对较高的负载需求,适用于大多数小型电源管理、电流放大、开关电路等应用。该产品的最大集射极击穿电压(Vce)达50V,赋予其在高电压环境下的良好性能,确保提高电路的可靠性。
UMC4N-7 在不同的Ic和Vce条件下的直流电流增益(hFE)最小值为68(在5mA,5V条件下测得),这表明即使在较低的电流条件下,该元件仍能提供较高的电流增益,适合用于信号放大和开关应用。此外,该元件在500µA和10mA下的Vce饱和压降最大为300mV,这意味着在开关操作时,其功耗十分低,有助于提升整体电路的能效。
漏电流(Ic cutoff)在最大值为500nA的情况下,进一步减少了在待机模式下的功耗,使得该产品在待机时也能保持良好的能效特点。UMC4N-7的频率跃迁特性可达250MHz,这意味着其在高频应用中表现出色,非常适用于通信、信号处理和脉冲宽度调制(PWM)控制等场合。
得益于其优越的电气特性和灵活的封装设计,UMC4N-7可广泛应用于数个领域,包括但不限于:
UMC4N-7采用的SOT-353封装形式,具有小尺寸和低包装高度的优点,最适合表面贴装应用(SMD),为电路设计提供了更多的布局选择和灵活性。同时,SOT-353的低电感特性保证了高频操作时的稳定性和可靠性,减少了由于封装引起的不必要信号干扰。
UMC4N-7的数字晶体管设计不仅注重电气性能,还考虑到易于集成和焊接的需求,适合现代自动化生产线的便捷处理。在实际应用中,设计工程师可通过精确控制基极电阻(R1: 47kΩ和10kΩ)及发射极电阻(R2: 47kΩ)来实现所需的电流特性,从而更好地调优电路的整体性能。
总体而言,UMC4N-7是一款技术先进、性能稳定的数字晶体管,为设计师在面对不断发展的电子产品需求时提供了理想的解决方案。无论是用于信号处理、开关控制还是其他电子设计方面,UMC4N-7都能够提供出色的表现,帮助电子设备实现更高的性能和效率。通过将UMC4N-7应用于诸多领域,设计师和工程师们能够进一步提升电子产品的性能水平,满足消费者对智能化、低功耗电子产品日益增长的需求。