集电极电流Ic | 500mA | 集射极击穿电压Vce | 50V |
晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.6V @ 500µA,350mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50µA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 1000 @ 350mA,2V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 16-SO |
ULN2004D1013TR是一款高性能的达林顿晶体管阵列,提供七路独立的NPN达林顿输出通道,其集电极电流额定值为500mA,适用于多样化的数字和模拟电路应用。此器件由意法半导体(STMicroelectronics)设计生产,采用表面贴装型SO-16封装,非常便于集成到各种电子设备中,满足了现代电子设计小型化和高集成度的需求。
随着电子技术的发展,对高性能电子元器件的需求不断增加。ULN2004D1013TR凭借其高集电流和高电流增益的特性,为现代电子设计提供了理想的解决方案。该器件不仅适用范围广、性能稳定,而且得益于其小型化的SO-16封装,能够满足各种应用场合对空间的苛刻要求。无论是在家用电器、汽车电子,还是工业控制系统,ULN2004D1013TR都能够展现出出色的性能,是一款非常值得engineers信赖和采购的产品。