TP0610K-T1-E3
TP0610K-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 185mA |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 6Ω @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 350mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 185mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 欧姆 @ 500mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.7nC @ 15V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 23pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
TP0610K-T1-E3手册
TP0610K-T1-E3概述
TP0610K-T1-E3 产品概述
TP0610K-T1-E3 是一款由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产的高性能 P 沟道 MOSFET，采用 SOT-23-3（TO-236）封装，专为各种电子应用设计。该 MOSFET 的关键特点包括其出色的性能参数和宽广的工作温度范围，使其在多个领域具有广泛应用潜力。
1. 产品基本参数
TP0610K-T1-E3 的漏源电压（Vdss）为 60V，允许的连续漏极电流（Id）在 25°C 条件下最高可达 185mA。这使得该元件能够满足许多中低功率应用的需求。栅源极阈值电压（Vgs(th)）低至 3V，能够实现较低的驱动电压，从而便于与逻辑电平信号相兼容。漏源导通电阻（Rds(on)）在 500mA 和 10V 时达到了最低 6Ω，进一步降低了在开关状态下的功率消耗。
该组件的最大功率耗散能力为 350mW（在环境温度为 25°C 时），这使得其在推广高效电源管理和低功耗设计中非常有用。值得一提的是，TP0610K-T1-E3 的工作温度范围极其广泛，从 -55°C 到 150°C，不仅能够应对极端温度环境，也为高温用途提供了可靠的解决方案。
2. 适用应用领域
凭借其高效特性，TP0610K-T1-E3 特别适用于电源管理、开关电源、马达驱动、信号开关以及一些低功耗的控制电路等应用。在消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域都有广泛的适用性。
- 电源转换: 在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为开关管，帮助提升转换效率；
- 信号开关: 可用于低电流信号的切换，尤其适用逻辑电平驱动电路；
- 马达控制: 在小功率 DC 马达驱动中用于控制电机的启停；
- 便携电子设备: 适合应用于各种便携式设备中，像玩具、手持设备及传感器等。
3. 技术特性分析
TP0610K-T1-E3 的栅极电荷（Qg）在 15V 下为 1.7nC，较低的栅极电荷特性意味着更快的开关速度，这对于高频操作至关重要。输入电容 (Ciss) 达到 23pF（在 25V 条件下），这一数值保证了在小尺寸设计中的有效信号传输。
其可承受的最大栅源电压（Vgs）达到 ±20V，提供更高的设计灵活性。此外，其封装类型为表面贴装型（SMD），如 SOT-23-3（TO-236），不仅有利于自动化生产线的组装，也对空间受限的应用尤为重要。
4. 总结
TP0610K-T1-E3 是一款性能优越、功能全面的 P 沟道 MOSFET 解决方案。凭借其可靠的电气特性、出色的工作温度范围和低功耗特性，这款产品不仅满足当前技术需求，还为未来的电子设计提供了诸多可能性。VISHAY（威世）作为国际知名品牌，其提供的产品质量和技术支持也为使用者提供了信心。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，TP0610K-T1-E3 都将在各种应用场景中发挥重要作用。