漏源电压(Vdss) | 150V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 25A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 52mΩ @ 5A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 3W | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 52 毫欧 @ 5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 40nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1725pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 3W(Ta),136W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
SUD25N15-52-E3 是一款由著名电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产的 N 沟道 MOSFET(场效应管),该产品专为高效能电源开关和信号放大等应用而设计。产品具有较高的电压和电流承载能力,适合在严苛的环境下操作,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、马达驱动器和其他需要高频开关能力的场合。
本产品的主要电气特性包括以下几点:
SUD25N15-52-E3 的栅极驱动电压为最小 6V 和最大 10V,从而具备灵活的驱动能力,支持多种控制逻辑。同时,其栅极电荷(Qg)在 10V 下为 40nC,表明其在切换时的控制要求适中,有助于降低驱动电路所需的功耗。该 MOSFET 的输入电容 (Ciss) 在 25V 处最大为 1725pF,确保其在高频操作中的良好响应能力。
SUD25N15-52-E3 具备宽广的工作温度范围,从 -55°C 到 175°C,意味着该元器件可适应极端的环境条件。其安装类型为表面贴装型(SMD),并采用 TO-252(D-Pak)封装,方便与各种电路板兼容,尤其是在空间受限的设计中。
凭借其高性能参数,SUD25N15-52-E3 特别适用于以下应用:
SUD25N15-52-E3 是一款综合性能优越的 N 沟道 MOSFET,结合了高电流承载能力、低导通电阻以及宽温范围,适用于各类严苛的电子应用。其可靠性和性能使其成为设计师在选择高效能电子元器件时的重要首选。选择 SUD25N15-52-E3,可以显著提高电子系统的整体效能与稳定性,助力实现高效能和低能耗的电源解决方案。