STW48N60DM2
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-247-3
包装 :
管装
重量 :
4.54g
描述 :
场效应管(MOSFET) 300W 600V 40A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
16.44按整 :
管(1管有600个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥16.44
--
10+
￥14.17
--
600+
￥13.5
--
6000+
产品参数
产品手册
产品概述
STW48N60DM2参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 40A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 79mΩ @ 20A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 79 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 70nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3250pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW48N60DM2手册
STW48N60DM2概述
STW48N60DM2 产品概述
一、产品简介
STW48N60DM2是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其额定漏源电压为600V，连续漏极电流达到40A，散热功率消耗最大可达300W。这款MOSFET的设计专门针对高压、高功率应用，以提供出色的电流控制和能效表现。STW48N60DM2封装采用TO-247-3，适合需要良好散热性能的通孔安装。
二、关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 600V
- 连续漏极电流（Id）: 40A（在25°C时，面向散热器的极限值）
- 导通电阻（Rds(on)）: 在20A和10V驱动电压下为79mΩ，这意味着在工作时的功耗相对较低，从而提高系统的能效。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 5V（@250µA），强调了该器件的快速启动特性。
- 栅极电荷（Qg）: 70nC（@10V），为驱动电路的设计提供了较低的驱动功耗。
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C，这意味着该PP MOSFET可在极端环境条件下稳定工作。
三、应用领域
STW48N60DM2适用于多个领域，包括但不限于：
- 开关电源: 由于其高电压和高电流的特性，特别适合用于AC-DC转换和DC-DC转换。
- 电机驱动: 该MOSFET能够在各种电机控制应用中高效工作，有助于提高电机的运行效率。
- 焊接设备: 在点焊和弧焊等高功率焊接设备中，STW48N60DM2提供了所需的性能和可靠性。
- 逆变器和变频器: 适合用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和风能变频器。
四、性能优势
- 高能效: 由于其低导通电阻和高电流处理能力，能有效地减少发热和能量损耗，这对大功率设备至关重要。
- 良好的散热特性: TO-247封装设计确保了有效的热管理，能够在高功率情况下维持稳定的工作温度。
- 高开关频率: 其栅极电荷低，使得STW48N60DM2能够在高开关频率应用中表现优异，从而减小系统的整体体积和重量。
- 宽工作温度范围: 使其在极端条件下也能保持良好的性能，增加了在多种环境中的适用性。
五、总结
STW48N60DM2 是一款兼具高压、高电流和能效的N沟道MOSFET，适用于多种工业和消费电子应用。其出色的导通电阻、广泛的工作温度范围以及高功率处理能力，使其成为电源管理和驱动应用领域的理想选择。为确保系统设计的最佳性能，了解和合理利用该MOSFET的参数和特性至关重要。无论是在现代电源转换、可再生能源解决方案，还是高性能电机控制中，STW48N60DM2都能为设计工程师提供卓越的可靠性和性能支持。