STU4N62K3

产品概述：STU4N62K3 MOSFET

一、产品简介

STU4N62K3是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），封装形式为TO-251-3短引线，适用于各种电子电路中的开关和放大应用。它的设计目标是提供优越的电气性能和可靠性，特别是在高压大电流环境中，适合用于电源管理、电机驱动以及消费电子等领域。

二、技术参数

STU4N62K3 MOSFET的主要技术参数如下：

• 封装形式：TO-251-3（短引线）/I-PAK
• FET 类型：N沟道
• 漏源电压（Vdss）：620 V
• 栅源电压（Vgss）：±30 V
• 连续漏极电流（Id）：3.8 A（在25°C，热管理考虑）
• 导通电阻（Rds(on)）：在不同电流和栅压下，最大值为2欧姆（在1.9 A，10 V时）
• 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为4.5 V（在50µA条件下）
• 栅极电荷（Qg）：最大值为22nC（在10 V时）
• 输入电容（Ciss）：最大值550 pF（在50 V时）
• 功率耗散：最大值70 W（在Tc条件下）
• 工作温度范围：最高150°C（TJ）

三、应用场合

STU4N62K3 MOSFET适用于多种应用场景，如：

1. 开关电源：通过高效的开关操作提高电源的转换效率，降低待机功耗。
2. 电机驱动：广泛应用于直流电机和步进电机控制系统，帮助实现高效稳定的驱动性能。
3. 电源管理电路：在各类电源管理解决方案中，承担负载开关和过流保护等功能，确保系统的可靠性。
4. 消费电子产品：如LED驱动、电池管理系统等，对高效率和小型化有迫切需求的产品。

四、设计优势

1. 高耐压和高电流能力：STU4N62K3的620 V漏源电压和3.8 A的持续漏极电流能力，使其在严格的电源应用中具有出色的适应性。
2. 低导通电阻：较低的导通电阻（2欧姆），显著降低了开关损耗，优化了整体电路的效率。
3. 宽工作温度范围：确保器件在高温环境下的可靠运行，适合于要求较高的工业环境。
4. 低门极驱动电压：门极电荷（Qg）和阈值电压（Vgs(th)）的优化，降低了驱动电路的复杂性，适合于高频开关应用。

五、总结

STU4N62K3 MOSFET凭借其出色的性能参数和可靠性，成为电源系统、驱动控制和消费电子领域的理想选择。随着电子设备功率密度的不断增加，STU4N62K3将为设计工程师提供更加高效、稳定的解决方案。该器件广泛适用于各种需提高能源效率和系统可靠性的应用，支持现代电子设计的快速发展与高要求。选择STU4N62K3，意味着选择了一款技术先进、应用广泛的高端MOSFET。