额定功率 | 500mW | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 500V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 500V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 10mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 10µA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 50mA,10V | 功率 - 最大值 | 500mW |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
STR2550 由意法半导体(STMicroelectronics)制造,是一款高性能的PNP型双极结晶体管(BJT),专为需要高电压和电流处理能力的应用而设计。该晶体管在许多电子电路中具有广泛的应用,如开关电源、电机驱动、信号放大及其他高效能电路。
STR2550 的主要电气参数如下:
高耐压与高电流特性: STR2550 提供高达500V的集射极击穿电压和500mA的集电极电流,非常适合高压、大电流的应用场合。这使得它在供应电流和电压变化较大的系统中能保持良好的稳定性。
低饱和压降: 该元件在 10mA 和 50mA 的工作条件下,Vce饱和压降仅为300mV,体现了良好的导通特性。这对低功耗电路尤为重要,可以有效降低功耗,提升整个电路的能效。
优越的电流增益: STR2550 的直流电流增益 (hFE) 达到100,进一步推动了其在信号放大器应用中的表现,提高了传输信号的效率。
宽工作温度范围: 该晶体管可在高达150°C的环境中稳定工作,广泛适用于高温环境和工业级应用,使其在多个领域的执行表现都非常出色。
STR2550 三极管在电子设备中有多种广泛应用,具体包括但不限于:
STR2550 采用SOT-23封装,其表面贴装设计使得它能够在现代电子产品中实现更高密度的布局。SOT-23封装已成为许多小型电子组件标准,因此,STR2550 可以方便地与其他表面贴装器件结合使用。在设计电路时,合理规划PCB布局能够最大程度上减少寄生参数影响,从而提高信号完整性。
总之,STR2550 是一款高效、稳定且耐用的PNP型三极管,适合多个应用场景。从其强大的电流处理能力、高耐压特性到较低的功耗表现,STR2550 在设计高效的电子设备时值得推荐,是设计师求助于高效、高性能元器件时的优选之一。无论是在消费电子、工业应用,还是专业设备中,STR2550 都显示出极大的适用性和可靠性。