STP9NK60ZFP
STP9NK60ZFP参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 950mΩ @ 3.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 30W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 950 毫欧 @ 3.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 53nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1110pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STP9NK60ZFP手册
STP9NK60ZFP概述
STP9NK60ZFP 产品概述
一、产品简介
STP9NK60ZFP 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，专门设计用于需要高电压、高电流及高效率的电源管理和开关应用。其最大漏源电压为600V，额定连续漏极电流为7A（在25°C时），为用户提供了卓越的性能和可靠性。
二、主要规格
- 漏源电压（Vdss）: 600V
- 连续漏极电流（Id）: 7A @ Tc（25°C）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th）: 4.5V @ 100µA
- 漏源导通电阻（Rds(on）: 950mΩ @ 3.5A, 10V
- 驱动电压: 10V（最大 Rds On）
- 栅极电荷（Qg）: 53nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）: 1110pF @ 25V
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 最大功率耗散: 30W @ Tc (25°C)
- 封装类型: TO-220-3 整包
- 安装方式: 通孔
三、产品特点
高压能力: STP9NK60ZFP 具备 600V 的高漏源电压，适合用于交流、直流电源转换和高压驱动应用。
低导通电阻: 950mΩ 的导通电阻在 3.5A 下提供更低的功耗，从而提高整体电能效率，降低热量生成，延长电路的使用寿命。
优越的开关特性: 栅极电荷（Qg）为 53nC，结合快速切换特性，使其在高频开关应用中表现出色，适合用于开关电源、逆变器及马达驱动器。
宽工作温度范围: 该器件工作温度范围从 -55°C 到 150°C，使其能在极限环境下稳定运行，宽广的工作温度使其在诸多工业和消费类应用中均能保持性能稳定。
理想的封装设计: TO-220FP 封装不仅适合强散热应用，同时支持方便的通孔安装，易于集成入多种电路设计中。
四、应用场景
STP9NK60ZFP 广泛应用于以下领域：
开关电源（SMPS）: 能够提供高效率和低损耗的电源转换，适用于各种电源供应设备。
马达驱动器: 优异的耐压和电流能力，使其适合用于电动机控制器和驱动电路。
逆变器: 适用于太阳能逆变器和其他类型的 DC-AC 逆变器，提供高电压输出。
高频开关应用: 高速开关能力和低栅极电荷使其在高频电路中表现良好，提高转换效率。
五、结论
STP9NK60ZFP 是一款功能强大且可靠的 N 沟道 MOSFET，集合了高电压、高电流处理能力和出色的热性能，适合在各种电力电子应用中使用。用户在选择此款器件时，将获得更高的设计灵活性与可靠性，为产品的性能提升奠定基础。凭借意法半导体的品牌声誉和持续的技术创新，STP9NK60ZFP 也致力于满足市场对于节能环保和高效能电源管理的需求。