STP80NF55-06
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.79g
描述 :
场效应管(MOSFET) 300W 55V 80A 1个N沟道 TO-220
库存 :
10(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
15.8按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥15.8
--
100+
￥14.1
--
1000+
￥13.56
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP80NF55-06参数
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 80A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 6.5mΩ @ 40A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.5 毫欧 @ 40A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 189nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4400pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP80NF55-06手册
STP80NF55-06概述
产品概述：STP80NF55-06 N沟道MOSFET
1. 基本介绍
STP80NF55-06是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计用于高电流和高电压的应用场合，尤其适合用于电源转换、功率管理、马达驱动和其他要求高效率和高可靠性的电路中。该器件采用TO-220AB封装，在保证优良的散热性能的同时，适应了通孔安装需求，适合多种电子设备使用。
2. 重要参数
- 漏源电压（Vdss）：55V，这意味着该MOSFET可承受高达55V的电压而不发生击穿，适用于中等电压级别的电路设计。
- 连续漏极电流（Id）：80A（在25°C的环境下）。这是该器件在规定的温度条件下可以承载的最大电流，方便设计工程师进行电路的配合。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：在10V的栅源电压下，最大导通电阻为6.5mΩ，能够有效降低导通损耗，提升整体能效。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：4V @ 250μA，使得该器件在低电压下即可有效工作，适合多种驱动电路应用。
- 最大功率耗散：在25°C环境下的最大功率耗散为300W（在结温Tj = 150°C时，需考虑结温的影响，实际设计中应确保散热设计良好以避免过热）。
- 工作温度范围：-55°C ~ 175°C，适应极端环境条件，确保在广泛的应用场合下稳定工作。
- 输入电容（Ciss）：在25V下最大输入电容为4400pF，适合高频率应用，确保快速开关性能。
3. 应用领域
STP80NF55-06适合多种电子电路应用，以下是部分可能的应用领域：
- 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源及不间断电源（UPS）设计中。
- 电动机驱动：在电动机控制电路中实现高效率的功率转换。
- 照明：用于LED驱动电路，可以提高驱动效率并降低工作温度。
- 汽车电子：适合在汽车电源管理中使用，如车载充电器和电池管理系统。
4. 散热与安装
该MOSFET采用TO-220封装的设计具备良好的散热性能，适合高功率应用。工程师在设计电路时需关注散热片的选用，保证其在最大功率耗散情况下始终处于安全工作温度范围内，以防止器件因过热而损坏。
5. 优点总结
- 优良的热性能：高功率耗散能力使其适合在众多高要求场合中使用。
- 高效率：低导通电阻意味着在工作中损耗更小，提升了系统整体的转换效率。
- 宽温工作范围：适应极端温度条件，保证了设备的广泛应用性。
- 便捷的驱动特性：较低的驱动电压要求，使得与其他电子元件的配合更加简单有效。
综上所述，STP80NF55-06是一款在多种电气和电子应用中极具性价比和实用性的N沟道MOSFET元器件，凭借其优越的电气特性及良好的散热设计，成为设计工程师在构建高效、可靠系统中的可靠选择。