STP4NK80Z
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.78g
描述 :
场效应管(MOSFET) 80W 800V 3A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.83按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.83
--
50+
￥2.17
--
1000+
￥1.81
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP4NK80Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 3.5Ω @ 1.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 80W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 1.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22.5nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 575pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 80W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP4NK80Z手册
STP4NK80Z概述
STP4NK80Z 产品概述
1. 产品简介
STP4NK80Z是一款高性能N沟道MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）制造。这款MOSFET的主要特点包括高漏源电压、适中的连续漏极电流能力和较低的导通电阻，使其在各种应用中表现出色。STP4NK80Z采用TO-220AB封装，便于散热和安装，适用于工业、消费电子及汽车等多个领域。
2. 主要规格
- 漏源电压（Vdss）: 800V
- 连续漏极电流（Id）: 3A（在25°C下，气候条件条件下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 50µA
- 漏源导通电阻（Rds On）: 3.5Ω @ 1.5A，10V
- 输入电容（Ciss）: 575pF @ 25V
- 栅极电荷（Qg）: 22.5nC @ 10V
- 最大功率耗散: 80W（在25°C条件下）
- 工作温度范围: -55°C至150°C
- 封装类型: TO-220AB
3. 应用场景
STP4NK80Z因其高耐压、可靠的电流承载能力和高功率处理能力，广泛应用于以下领域：
- 开关电源: 适用于高电压和高频率的开关电源，能够有效提高电源效率，降低电磁干扰（EMI）。
- 电机驱动: 在电机控制应用中，STP4NK80Z可用于驱动大功率电机，适合应用于自动化设备和工业机器人中。
- 家电控制: 利用其高压特性，适合用于各种家用电器的开关控制，如洗衣机、微波炉等。
- 照明控制: 能够作为LED驱动和调节电路的开关元件，提高照明系统的稳定性和效率。
4. 性能优势
- 高耐压: 800V的漏源电压，能够满足高压应用需求，使其在各种电力电子应用中表现优异。
- 低导通电阻: 3.5Ω的低导通电阻减小了在开关状态下的功率损耗，提高效率并降低热量产生。
- 良好的热特性: 最大功率耗散能力为80W，确保器件在高负载运行时保持稳定，有效延长其使用寿命。
- 宽工作温度范围: -55°C至150°C的宽范围适合恶劣环境下的使用，增加了应用的灵活性。
5. 封装与安装
STP4NK80Z采用TO-220AB封装，具有较好的散热性能，方便通孔安装，适合于PCB板上的高功率应用。此类封装不仅提升了电气和热性能，而且也简化了系统设计与组装过程，适合需长时间稳定工作的电子设备。
6. 总结
STP4NK80Z是一款设计先进、性能优越的N沟道MOSFET，因其高压、高效率及宽广的适用环境，成为现代电力电子设计者的理想选择。无论是在开关电源、工业电机驱动还是现代家电控制领域，STP4NK80Z都能提供可靠的解决方案，能够帮助工程师实现更高性能的电路设计，满足日益增长的电子产品性能和设计要求。