STP3NK90Z
STP3NK90Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 900V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 4.8Ω @ 1.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 90W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.8 欧姆 @ 1.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22.7nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 590pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 90W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP3NK90Z手册
STP3NK90Z概述
STP3NK90Z 产品概述
概述
STP3NK90Z 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，专为需要高电压和高功率应用的场合设计。它采用先进的金属氧化物半导体技术，能够提供出色的导通性能和效率。这款器件在电力电子、开关电源和马达驱动等领域广泛应用，尤其适合于需要高可靠性和耐用性的苛刻环境中。
主要特性
高漏源电压： STP3NK90Z 的漏源电压 Vdss 达到 900V，确保了其适用于高电压应用，例如工业电源和转换器等，能够有效处理电力传输中遇到的高电压情况。
连续漏极电流： 该器件在 25°C 环境温度下，持续漏极电流可达到 3A (Tc)，提供了可靠的电流处理能力，适用于需要稳定电流供应的电子设备。
阈值电压与驱动能力： 栅源极阈值电压 Vgs(th) 为 4.5V @ 50µA，适合大多数驱动电路。其最大驱动电压为 10V，能够有效保证器件的开关操作。
导通电阻： 在 1.5A 和 10V 驱动条件下，STP3NK90Z 的漏源导通电阻（Rds(on)）为 4.8Ω，显示出其良好的导通性能，较低的导通电阻意味着在工作过程中热量产生更少，提高了整体效率。
高功率耗散： 该元件的最大功率耗散为 90W（在 Tc 条件下），适合于高功率应用场景，能够有效地处理负载功耗问题。
宽广的工作温度范围： STP3NK90Z 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，使其在极端环境下依然能够稳定工作，适合航空航天、汽车和其它需要高温耐受性的应用。
兼容的封装设计： 该器件采用 TO-220AB 封装，为用户提供了良好的散热性能和连接能力，便于电路设计和安装。
应用领域
STP3NK90Z 被广泛应用于多种领域，包括：
开关电源： 由于其高电压和高功率的特性，适合用于各种开关电源设计，能够有效提高能效。
电机驱动： 该 MOSFET 可以用于电机的控制和驱动电路，适合在要求快速开关的应用中。
逆变器： 在太阳能逆变器和其他类型的变频器中，STP3NK90Z 能够有效管理电能转换过程。
电力调节： 该器件可以用于能源管理和调节器设计，帮助确保系统内的电能流动高效稳定。
结论
STP3NK90Z 是一款性能优越的 N 沟道 MOSFET，凭借其高漏源电压和高功率承受能力，在电力电子领域表现出色。其可靠的电气特性和广泛的工作温度范围使其成为各种工业和消费电子产品的理想选择。无论是在高频开关应用还是高电流负载，STP3NK90Z 都能提供优秀的性能和可靠性。选择 STP3NK90Z，让您的电源设计迈向一个新的高效能和高可靠性水平。