STP12NM50FP
STP12NM50FP参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 350mΩ @ 6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 35W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 350 毫欧 @ 6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 39nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 35W（Tc） |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STP12NM50FP手册
STP12NM50FP概述
STP12NM50FP 产品概述
1. 产品简介
STP12NM50FP是一款高性能的N沟道MOSFET（场效应晶体管），适合用于高电压和高电流的应用场景。其额定漏源电压（Vdss）高达500V，能够承受较高的工作电压，使得该器件非常适合在工业和消费类电子产品中应用。该MOSFET在25°C环境下的连续漏极电流（Id）达到12A，足以满足大多数高功率需求的设计。
2. 关键技术参数
漏源电压（Vdss）: 500V
这一参数保证了STP12NM50FP能在较高电压环境下稳定工作，适用于电源转换、逆变器等高电压场景。连续漏极电流（Id）: 12A (Tc)
在25°C的环境条件下，STP12NM50FP可承载12A的连续电流，适合需要高电流传输的应用。栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 5V @ 50µA
该参数表明在栅极电压达到5V时，MOSFET能够开始导通，便于控制与驱动。漏源导通电阻（Rds(on)）: 350mΩ @ 6A, 10V
漏源导通电阻低至350毫欧，能够有效降低功耗及发热，提升整体效率。驱动电压（最大Rds(on）最小Rds(on））: 10V
推荐驱动电压为10V，能够保证MOSFET在导通状态下的电阻处于最小值。最大功率耗散: 35W (Tc=25°C)
该MOSFET在温度控制良好的条件下，能处理最大功率为35W，有助于稳定的热管理。工作温度: -65°C ~ 150°C (TJ)
STP12NM50FP的工作温度范围广，使其能在严酷的环境中稳定工作。封装类型: TO-220FP
TO-220封装设计使得产品便于散热，适合需要安装在PC板上的应用。
3. 应用领域
STP12NM50FP广泛应用于各种需要高压、大功率控制的领域。以下是一些典型的应用场景：
电源管理: 主要用于开关电源（SMPS）中，提高能量转化效率，降低损耗。
逆变器: 在太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统中应用，确保高效能和稳定性。
电动机驱动: 在各种类型的电动机（直流电机、步进电机等）驱动电路中，提供强大的电流支持。
照明系统: 高功率LED驱动器的应用，保证系统的稳定性和高效能。
4. 性能优势
STP12NM50FP凭借其先进的MOSFET技术具有多项性能优势。首先，其低导通电阻使得在高电流情况下能显著降低功耗和发热，进而提升系统的整体效率。其次，广泛的工作温度范围及高电压承受能力确保器件能够在多种操作条件下稳定工作。此外，针对快速开关应用，较低的栅极电荷使得其适合高频驱动，使得设备响应更快、更高效。
5. 总结
总体而言，STP12NM50FP作为一款高电压、高电流能力的N沟道MOSFET，凭借其优良的性能和可靠性，在各种电力电子应用中都具有重要的价值。它不仅能满足高功率密度的需求，还保持出色的热管理和效率，推荐用于股票电源管理、逆变器、电动机驱动及高功率照明系统等领域，力求在满足设计需求的同时降低能量损耗，提升系统的整体性能。