STP11NK50Z
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 125W 500V 10A 1个N沟道 TO-220
库存 :
52(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
4.58按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.58
--
100+
￥3.66
--
1000+
￥3.39
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP11NK50Z参数
| 封装/外壳 | TO-220-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 500V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 500V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 520 毫欧 @ 4.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 68nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1390pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-220AB |
STP11NK50Z手册
STP11NK50Z概述
STP11NK50Z 产品概述
STP11NK50Z是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于高电压、高电流的开关电源和功率管理电路中。凭借其卓越的电气特性，该器件常被用于电力变换、马达驱动、图形处理、以及电源调节器等领域，如消费电子、工业自动化以及新能源系统。
关键参数
封装与结构
STP11NK50Z采用TO-220-3封装，这种通孔型封装设计使得该器件能够有效散热，适合在高功率应用中使用。TO-220封装具有良好的机械强度和电气性能，适合安装于各种PCB布局。电气特性
- 漏源极电压（Vdss）： 最高可达500V，能够满足高电压驱动需求。
- 连续漏极电流（Id）： 在25°C时，最大可达10A，适应多种高电流应用。
- 栅源电压（Vgss）： ±30V，能够在广泛的栅极驱动电压下稳定工作。这一特性使得STP11NK50Z在不同驱动电路中应用灵活。
- 导通电阻（Rds On）： 在4.5A和10V条件下，最大导通电阻为520毫欧。这一指标在选择MOSFET时至关重要，低Rds On有助于减少导通损耗，从而提高整体能效。
开关特性
- 栅极电荷（Qg）： 在10V驱动下，最大栅极电荷为68nC。这一低电荷值意味着该MOSFET具有更快的开关速度，有助于提高开关电源的效率和减少开关损耗。
- 输入电容（Ciss）： 在25V时最大输入电容为1390pF，这进一步优化了高频应用中的电路响应能力。
热特性与工作温度
STP11NK50Z的额定功率耗散在规范工作条件下可达125W，确保其在高功率应用中的可靠性。此外，该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，能够在各种恶劣环境条件下稳定运行，满足工业和汽车电子等严苛应用的需求。
应用领域
STP11NK50Z因其优越的性能被广泛应用于：
- 开关电源（SMPS）： 由于其高电压和电流能力，以及低导通损耗，非常适合在开关电源中使用。
- 马达驱动： 在电动机控制电路中，MOSFET的高效开关特性使其能够精确控制马达的运行，提升整体系统的动态响应。
- 逆变器与电源调节器： 高电压和高功率能力使得STP11NK50Z非常适合用于逆变器和各种电源调节的应用。
- 高频电源转换器和电路保护装置： 由于其快速响应特性，在电频电源和保护电路中也是极具价值的选择。
总结
STP11NK50Z是一款兼具高效能和可靠性的N沟道MOSFET产品，适合于多种高电压和高电流的应用场景。凭借其优秀的电气性能、宽广的工作温度范围和良好的散热特性，它在现代电力电子系统中发挥着重要作用。作为意法半导体（STMicroelectronics）的一款明星产品，STP11NK50Z在市场中受到了广泛认可，适合用于各类行业标准的电器设计中。无论是在散热设计、尺寸限制还是电气特性需求上，STP11NK50Z都能为工程师提供灵活的解决方案和可靠的性能。